超宽体，超高耐压，光耦兼容，单通道隔离驱动CCi8335系列芯片
来源：CrossChip(成都芯进)
发布时间：2025-06-27
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新品发布
针对1.5kV光伏逆变器应用系统，芯进电子专门研发并推出了超高耐压的光耦兼容单通道隔离驱动CCi8335系列芯片。为了适应1.5kV及以上的系统工作电压需要，CCi8335在耐压方面进行了全方位优化，采用了体宽为15mm的超宽体SOP8WW封装，同时采用了公司最新一代专利的超高耐压隔离膜技术，AC, BV, SURGE峰值都超过了24KV，VISO=8KVrms；VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk, 动态CMTI>150V/ns; 隔离耐压达到了国际领先水平。可以pin2pin替换ACNT-H3X3等隔离驱动芯片。
▲超宽体封装 SOP8WW，具有15mm爬电距离
产品优势与主要特性
1、实现光兼容单通道隔离式栅极驱动器
2、超高耐压 & 高可靠性专利隔离膜技术，远超增强型隔离标准
🔹VIOWM ≥ 2000VRMS
🔹隔离等级高达 8000VRMS
🔹浪涌能力高达 24kVPK
3、共模瞬态抑制：典型值大于±150V/ns
4、输出驱动侧 VCC的最大工作电压 33V
5、UVLO 四档可选（A-5V, B-8V, C-10V, D-12V）
6、具有 6A 峰值拉电流和 8A 峰值灌电流
7、60ns 典型传播延迟
8、25ns 最大脉宽失真
9、输入级具有 24V 反向电压处理，反向击穿电压 26V
10、多项国家发明专利，超高耐压&可靠性的隔离膜和封装技术。
应用场景
太阳能逆变器、储能
变频器、直流充电桩
UPS 和电池充电器
隔离 IGBT、功率 MOSFET 栅极驱动
▲ 典型应用图
实测数据
CCi8335系列芯片因超高压耐压需求而生，实测数据显示: AC BV和SURGE峰值都超过了24KV, VISO=8KVrms; VIOWM至少可达到2000Vrms和2828Vpk，动态CMTI>150V/ns, 达到了目前国际领先的隔离耐压水平。
1、超高耐压、超强可靠性高可靠性，远超增强型隔离标准，国际领先
VIOWM ≥ 2000VRMS
隔离等级高达 8000VRMS；
浪涌能力高达 24kV；AC BV ≥ 24kV
在整个隔离栅具有±8kV IEC 61000-4-2 接触放电保护
2、优秀的CMTI性能和抗干扰能力
▲ 动态上升沿150GV/S
▲隔离器件对地寄生小，载波信号幅度强，
动态CMTI超过150V/ns；
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