采用顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 产品扩展
来源：Infineon(英飞凌)
发布时间：2026-06-23
新品
CoolSiC™ G2 1200V MOSFET
采用顶部散热Q-DPAK封装
第二代CoolSiC™ 1200V MOSFET，采用顶部散热Q-DPAK封装，提供4mΩ和5mΩ两种导通电阻规格，广泛适用于的工业应用，包括电动汽车充电、光伏逆变器、不间断电源、固态断路器、工业驱动、人工智能以及商用电动车等。
Q-DPAK封装凭借其卓越的热性能简化了组装流程，降低系统成本。与底部散热方案相比，顶部散热器件支持更优化的PCB布局，有助于降低寄生参数和杂散电感的影响，同时提供更优的热管理能力。
产品型号：
■ IMCQ120R004M2H
■ IMCQ120R005M2H
产品特性
SMD顶部散热封装
低杂散电感
采用CoolSiC™ MOSFET 1200V G2技术，具备增强的开关性能和更优的优值系数
.XT扩散焊
极低的导通电阻
封装CTI>600，并设有模具沟槽（CD>4.8mm）
优异的耐湿性
具备雪崩、短路及功率循环耐受鲁棒性
应用价值
更高的功率密度
支持自动化组装
简化设计
相比底部散热封装，热性能表现卓越
降低系统功率损耗
可在污染等级2条件下支持950V RMS电压
高可靠性
优化成本
竞争优势
提升功率密度
相比底部散热器件，热性能显著提升
电气设计更简化
应用领域
电动汽车充电
太阳能发电
不间断电源
固态断路器
工业驱动
人工智能
商用电动车
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