采用高爬电距离TO-247-4引脚封装的CoolSiC™ 1400V MOSFET G2
来源：Infineon(英飞凌)
发布时间：2026-02-11
新品
采用高爬电距离TO-247-4引脚封装
的CoolSiC™ 1400V MOSFET G2
CoolSiC™ 1400V MOSFET G2器件采用TO-247-4引脚封装，兼具前沿的SiC技术与高爬电距离的坚固封装特性。该器件支持直流母线电压超过1000V的系统设计，既为现有应用提供额外的电压裕量与增强的可靠性，又能实现更高的开关速度，从而提升系统效率。其引脚与现有封装完全兼容，适用于光伏发电、电动汽车充电、储能系统及其他工业应用领域。
产品型号：
■ IMZC140R011M2H
■ IMZC140R019M2H
■ IMZC140R024M2H
■ IMZC140R029M2H
■ IMZC140R038M2H
系统框图
PV
ESS
EV Charging
产品特性
漏源极电压VDSS=1400V（结温Tvj≥25°C时）
导通电阻RDS(on)低至11mΩ（栅源极电压 VGS=18V，结温 Tvj=25°C时）
极低的开关损耗，有助于实现高效率
2µs短路耐受时间
更宽的栅源极工作电压范围：-10V至+25V
基准级栅极阈值电压：4.2V
应用价值
更高的功率密度
提升的整体系统效率
增加的系统输出功率
增强的冷却优化效果
简化的系统设计流程
竞争优势
支持直流母线电压超过1000V的系统设计
采用高爬电距离封装，可靠性卓越
具备优异的瞬态过载抗扰度
对于上限为1000V的应用：提供充足的电压裕量，支持大峰值电流下的更高开关频率
其高功率密度有助于缩小整体系统尺寸
应用领域
电动汽车充电
储能系统
组串式逆变器
不间断电源
通用电机驱动
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