首页新品介绍采用半桥架构的 1ED3330MC12M 隔离式栅极驱动的评估板设计

采用半桥架构的 1ED3330MC12M 隔离式栅极驱动的评估板设计

来源：Infineon(英飞凌)

发布时间：2026-02-11

新品

采用半桥架构的1ED3330MC12M

隔离式栅极驱动的评估板设计

该评估板用于在半桥配置下评估1ED3330MC12M隔离栅极驱动芯片与分立功率开关。

该评估板搭载两枚1ED3330MC12M芯片，并采用2EP130R变压器驱动芯片构建隔离式板载电源。板上预留两个TO247-4封装的IMZC120R012M2H CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET位置（未安装），可替换为其他英飞凌功率开关器件进行评估。

产品型号：

■ EVAL-1ED3330MC12M-SIC

产品特性

1ED3330MC12M隔离栅极驱动芯片

IMZC120R012M2H 1200V SiC MOSFET

2EP130R变压器驱动芯片

DESAT保护和软关断功能

有源米勒钳位

故障快速关断

应用价值

便捷的测量与配置

半桥拓扑

开关管未预焊接

属于英飞凌模块化评估平台

竞争优势

可快速评估多种采用TO247-4封装的英飞凌开关管

应用领域

储能系统

电动汽车充电

工业电机驱动与控制

框图

储能消防储能储能BMS 评估板/开发板

纠错

CoolSiC™ MOSFET 650V第二代产品，新增75mΩ型号

采用高爬电距离TO-247-4引脚封装的CoolSiC™ 1400V MOSFET G2

1、本文内容版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议，请联系感算商城（service@gansuan.com），我方将及时处理。
2、本文的引用仅供读者交流学习使用，不涉及商业目的。
3、本文内容仅代表作者观点，感算商城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为，是基于自主意愿和独立判断做出的，请读者明确相关结果。
4、如需转载本方拥有版权的文章，请联系感算商城（service@gansuan.com）注明“转载原因”。未经允许私自转载感算商城将保留追究其法律责任的权利。