全球20家SiC MOSFET厂商
来源：VICTRONICS
发布时间：2025-06-19
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碳化硅（SiC）作为第三代宽禁带半导体材料的核心代表，凭借其高耐压、低损耗、耐高温等特性，正在重塑功率半导体行业格局。本篇将从技术起源、演进路径、市场趋势及企业竞争力等维度，带大家了解全球SiC MOSFET产业链近况。并梳理20家厂商，为行业参与者提供决策参考。
SiC MOSFET的由来与演变
（一）技术起源与突破
1824年：瑞典科学家Jöns Jacob Berzelius首次合成SiC。
1955年：Lely制备出高质量SiC单晶，为后续研究奠定基础。
1970年代：美国RCA公司开发出首颗SiC肖特基二极管，但因工艺限制未实现商业化。
1997年：Cree（现Wolfspeed）推出全球首款1200V SiC MOSFET，标志着SiC功率器件进入实用阶段。
（二）产业化进程
2000 - 2010年：SiC衬底技术突破（如PVT法改进）推动成本下降，意法半导体、英飞凌等国际厂商开始布局量产线。
2015年后：新能源汽车需求爆发，特斯拉Model 3首次搭载SiC模块，加速行业渗透。
2020年至今：8英寸晶圆量产启动，SiC器件成本同比下降超40%，加速替代硅基IGBT。
全球20家SiC MOSFET厂商
排名不分先后,其他厂商就不一一列举
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SiC MOSFET发展趋势
新能源汽车：800V高压平台普及（2025年全球渗透率超50%），主驱逆变器SiC渗透率超70%。
能源转型：储能、光伏储能系统效率提升需求（SiC应用可降低损耗15%），2025年全球装机量超200GW。
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