CoolSiC™ MOSFET 400V与440V第二代器件-感算商城

CoolSiC™ MOSFET 400V与440V第二代器件

来源：Infineon(英飞凌)

发布时间：2026-02-11

新品

CoolSiC™ MOSFET 400V与440V

第二代器件

CoolSiC™ MOSFET 400V与440V第二代器件兼具高鲁棒性、超低开关损耗与低通态电阻等优势，同时有助于优化系统成本。该系列400V与440V碳化硅MOSFET可在两电平和三电平的硬开关与软开关拓扑中，提供卓越的功率密度和系统效率，主要面向人工智能服务器电源、开关电源、电机控制、可再生能源与储能系统以及D类音频放大器等功率转换应用。

产品型号：

■ IMW40R011M2H

■ IMZA40R011M2H

■ IMW40R015M2H

■ IMZA40R015M2H

■ IMW40R025M2H

■ IMZA40R025M2H

■ IMW40R036M2H

■ IMZA40R036M2H

■ IMLT40R045M2H

■ IMLT40R036M2H

■ IMLT40R025M2H

■ IMLT40R015M2H

■ IMLT40R011M2H

■ IMW40R045M2H

■ IMZA40R045M2H

■ IMT44R011M2H

■ IMT44R015M2H

■ IMT44R025M2H

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产品特性

相比650V SiC MOSFET，具有更优的FOM

快速换流鲁棒性二极管，具备低反向恢复电荷

低导通电阻温度系数

栅极阈值电压V_GS(th)=4.5V

支持单极性驱动（关断栅压V_GSoff=0V）

完成100%雪崩测试

开关速度的高可控性

高电压变化率工况下低过冲

采用.XT互连技术

应用价值

高系统效率

高功率密度设计

高设计鲁棒性

简化电磁干扰滤波需求

适用于硬开关拓扑

竞争优势

助力实现创新拓扑应用（如三电平功率因数校正、有源中性点钳位型拓扑）

应用领域

AI服务器电源PSU

开关电源SMPS

电机控制

轻型电动汽车

叉车

电动航空eAviation

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