HBM与AI引爆内存市场：2025年冲破2000亿大关

根据Yole Group《2025年内存行业现状报告》，2025年全球内存市场收入预计将达到近2000亿美元。这一增长主要由人工智能（AI）应用的激增和高带宽内存（HBM）技术的崛起所推动。尽管全球贸易紧张局势给供应链带来了不确定性，但内存市场依然展现出强劲的复苏态势。

2024年内存市场创历史新高，2025年持续增长

2024年，全球内存市场收入飙升至1700亿美元，创下历史纪录。这一显著增长主要得益于数据中心对AI训练的强劲需求，其中HBM因其卓越的性能和较高的价格优势，成为推动市场增长的关键因素。DRAM在2024年贡献了约970亿美元的收入，NAND闪存则约为680亿美元。

展望2025年，Yole Group预测内存市场将继续扩张，总收入有望突破1900亿美元。其中，DRAM市场预计将增长至约1290亿美元，而NAND闪存市场预计将达到约650亿美元。这一增长趋势反映了AI技术在数据中心、云计算和边缘计算等领域的广泛应用，对高性能内存的需求持续攀升。

HBM市场迅猛增长，2030年有望占据DRAM市场半壁江山

在当前动态的市场环境中，HBM的表现尤为突出，远超传统DRAM市场。2025年，HBM的收入预计将接近翻倍，达到约340亿美元。这一增长主要受限于产能瓶颈，以及AI和高性能计算（HPC）平台对其持续增长的战略需求。Yole Group预计，到2030年，HBM市场将以33%的年复合增长率（CAGR）增长，其收入有望超过DRAM市场总收入的50%。

Yole Group的首席分析师Simone Bertolazzi指出：“相比之下，包括DDR、LPDDR和GDDR在内的传统DRAM市场在2024年增长至800亿美元，但预计到2030年将仅以3%的CAGR温和增长。” 

NAND市场复苏缓慢，面临市场重新校准

与DRAM市场的快速复苏相比，NAND闪存市场的反弹较为温和。消费者需求低于预期以及高库存水平，促使主要供应商通过减少晶圆厂利用率和削减产量来调整供应。这些供应侧的调整措施有助于缓解价格和利润率的压力，但市场增长仍然受限。

Yole Group的分析师预计，2025年将是内存市场连续第二年创纪录的收入增长。除了DRAM和NAND市场的增长外，NOR闪存市场的收入也呈上升趋势，延续了2024年开始的复苏态势。

地缘政治因素引发市场波动，需求提前拉动

2025年4月，美国对存在贸易顺差的国家实施了大规模关税，再次引发了与中国的全球贸易紧张局势。尽管临时的90天暂停措施提供了短期缓解，但局势的不确定性依然存在。

Yole Group的高级技术和市场分析师Josephine Lau表示：“我们注意到，由于客户试图对冲潜在的供应风险，需求已提前拉动至2025年上半年。尽管面临这些挑战，内存市场依然保持韧性。我们预计，随着AI从训练阶段向推理阶段的过渡，以及终端设备对AI技术的广泛采用，市场将持续增长。”

内存生态变革：国产内存的崛起与竞争加剧

2025年，HBM市场的竞争愈发激烈。Yole Group的分析师指出：

• SK海力士凭借与英伟达的强大联盟，在HBM收入和比特出货量方面占据领先地位，市场份额约为54%。
• 三星在HBM市场份额落后的情况下，正加速与英伟达合作进行HBM3E的验证工作。
• 美光正在扩大其HBM3E的生产规模，并成立了专门的云内存业务部门，以应对未来的增长。

与此同时，中国也在积极扩大其国内内存生产能力。2024年，长鑫存储（CXMT）凭借低成本的DDR3/DDR4产品冲击了DRAM市场，促使主要供应商加快向DDR5和HBM的转型。

2025年对于内存行业来说是关键的一年，尽管市场环境日益复杂且竞争激烈，但行业收入仍达到了前所未有的高度。AI继续作为核心增长引擎，而供应链和技术路线图的战略调整正在重新定义竞争格局。