重磅归国！曾参与台积电3nm量产的中国科学家，携团队加盟中科大-感算商城

重磅归国！曾参与台积电3nm量产的中国科学家，携团队加盟中科大

来源：21ic电子网

发布时间：2026-06-02

近日有消息称，曾主导泛林集团（Lam Research）与日本国立材料研究所（NIMS）联合项目、技术成果已应用于台积电日本3nm量产线的中国科学家达博，正式辞去NIMS终身职位，毅然带领整个核心研发团队全职回国，加盟中国科学技术大学担任讲席教授。

从2013年赴日开展博士后研究，到2026年全职归来，阔别十三载，这位土生土长的甘肃学霸，终于带着顶尖技术与科研团队，扎根故土、助力国产半导体突围。

（图片来源：新浪微博）

资料显示，达博是85后，曾以高考状元身份考入中科大，并完成本硕博九年学业；仅用一年时间就拿下了日本国立材料研究所终身教职，成为该机构史上最年轻的终身学者，刷新了机构的人才纪录。

不过，真正让达博在产业界声名鹊起的，不是学历和论文数量，而是他牵头领导的、泛林集团与NIMS的联合研究项目。他聚焦电子束设备、刻蚀设备中的关键材料和核心部件，研究成果已直接应用于台积电日本熊本3nm量产线。

他的技术正好精准击中了两个“卡脖子”痛点：

一是，电子束检测。当芯片尺寸缩小到亚纳米级，传统光学检测受波长限制已无能为力，只有电子束能胜任。达博开发出的检测方案能将晶圆缺陷精度提升到埃米级别，效率比传统方法提高近百倍，是7nm以下逻辑芯片和先进存储芯片量产的核心技术之一。要知道，过去这类技术的知识产权完全掌握在美国科磊、应用材料等少数厂商手中。

二是，刻蚀核心材料。先进制程中刻蚀设备里的关键材料和部件长期处于高温、高能等离子体的极端环境中，其稳定性直接影响良率。达博团队已制备出世界第一块圆柱对称旋转晶体，开创“电子衍射光学”新方向，为新一代并行电子束设备提供了重要技术路径。

这两大技术方向，恰恰是我国半导体产业的薄弱环节。目前，国内5nm以下先进制程的刻蚀材料、核心零部件仍高度依赖进口，是制约国产高端芯片量产、突破技术封锁的关键短板。