Littelfuse 推出用于汽车电源保护的高压 TPSMC、TPSMD、TP5.0SMDJ 瞬态抑制二极管
来源：Littelfuse(力特)
发布时间：2026-06-23
新型汽车级瞬态抑制二极管可降低 BOM 成本，同时保护 BDU、HVAC 和 PTC 系统中的 GaN/SiC MOSFET 和 IGBT
图1. TPSMC, TPSMD, TP5.0SMDJ 系列 TVS 二极管
随着电气化汽车架构向更高电压和宽带隙半导体迁移，GaN/SiC MOSFET 和 IGBT 等功率器件越来越多地受到负载突降、感应开关和其他高能事件造成的严重瞬态电压的影响。传统的中低压 TVS 解决方案通常需要将多个器件串联起来才能达到充分的保护，从而增加了 PCB 面积、复杂性和物料清单（BOM）成本。
新型 TPSMC、TPSMD 和 TP5.0SMDJ 高压瞬态抑制二极管通过在单个汽车级器件中提供更高的断态电压（高达 400 V）和高峰值脉冲功率来应对这一挑战，使工程师能够简化保护方案，同时提高系统效率和耐用性。
主要功能与特色
高断态电压（≥400 V）可为高压汽车电路提供单设备保护
峰值浪涌电流高达 300 A，峰值脉冲功率高达 5 kW，可支持恶劣的瞬态条件
快速响应时间（通常<1 ps）可实现有效的瞬态箝位
符合 AEC-Q101 标准，符合 PPAP 标准，可满足汽车可靠性要求
DO-214AB（SMC）表面贴装封装可最大程度减小 PCB 尺寸并简化布局
符合 IEC-61000-4-2 ESD 标准（最高 30 kV），提供强大的系统级保护
与多设备保护方法相比，降低了 BOM 成本并减少了组件数量
专为高压汽车电源系统而设计
TPSMC、TPSMD 和 TP5.0SMDJ 系列是首款专为新兴高压汽车子系统打造的瞬态抑制二极管，使设计人员能够：
减少串联所需的 TVS 器件数量
优化低额定值 GaN/SiC MOSFET 或 IGBT 的选择，以减少传导损耗
在降低成本的同时提高整体系统效率
“这些高压瞬态抑制二极管专为下一代汽车电源架构而开发，”Littelfuse 产品营销总监 Charlie Cai 表示。“通过在 BDU、HVAC 和 PTC 应用中启用单器件瞬态保护，我们的客户可以简化设计、降低 BOM 成本，甚至选择额定值较低的功率半导体来提高效率和系统性能。”
TPSMC、TPSMD 和 TP5.0SMDJ 系列概述
所有系列均提供单向和双向配置。
市场与应用
汽车电子产品
电池断路装置（BDU）
高压 HVAC 压缩机
PTC 座舱和电池加热器
高压直流配电
常见问答-高压 TPSMC、TPSMD和TP5.0SMDJ 瞬态抑制二极管
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