CoolSiC™ MOSFET 650V第二代产品，新增75mΩ型号
来源：Infineon(英飞凌)
发布时间：2026-02-11
新品
CoolSiC™ MOSFET 650V第二代
产品，新增75mΩ型号
CoolSiC™ MOSFET 650V第二代器件基于性能卓越的第一代沟槽SiC MOSFET技术打造，通过提升性能、增强设计灵活性及鲁棒性，实现系统性价比的飞跃。该系列在硬开关与软开关拓扑中均能实现顶级的效率、高频开关特性及可靠性。
产品型号：
■ IMBG65R075M2H
■ IMW65R075M2H
■ IMZA65R075M2H
■ IMLT65R075M2H
■ IMTA65R075M2H
产品特性
卓越的器件优值
同类最佳的导通电阻
高鲁棒性与整体品质
灵活的驱动电压范围
支持单极性驱动（关断栅压VGS,off=0 V）
更低的热阻
采用.XT扩散焊技术
支持顶部与底部双侧散热
TOLL封装：与所有8x8mm FET引脚完全兼容
应用价值
优化系统成本
单位成本下的系统性能最大化
最高的可靠性
可实现顶尖效率与功率密度
简化组装与散热设计
支持水冷设计
支持无风扇或散热片的设计
更低的杂散电感
更优的栅极控制性能
竞争优势
TOLL封装在严苛的高功率应用中，以卓越的可靠性取代D2PAK、TO247及TO220封装，并可实现最大功率密度
TOLT封装顶部散热设计是液冷系统的理想选择，并与高度同为2.3mm的Q-DPAK封装形成互补
应用领域
单相组串式逆变器解决方案
储能系统
通信设备开关电源
边缘计算设备开关电源
服务器电源
电视电源
人形机器人充电
电池充电系统
轻型电动车辆
电动自行车充电
家用空调
暖通空调系统
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