第五代氮化镓CoolGaN™ 650V G5双通道晶体管
来源：Infineon(英飞凌)
发布时间：2026-02-11
新品
第五代氮化镓CoolGaN™ 650V G5
双通道晶体管
第五代氮化镓CoolGaN™ 650V G5双通道晶体管将半桥功率级集成于小型6×8mm QFN-32封装中，该功率级由两个导通电阻典型值140mΩ、耐压650V的增强型CoolGaN™晶体管组成。
该产品凭借CoolGaN™晶体管卓越的开关特性，非常适合用于实现AC-DC充电器与适配器的高功率密度设计，以及低功率电机驱动和照明应用。
产品型号：
■ IGI65D1414A3MS
产品特性
超快开关特性
无反向恢复电荷
具备反向导通能力
低栅极电荷
低输出电荷
开尔文源极连接
应用价值
相较于单管方案器件数量减少50%
降低系统成本
减轻整体重量
降低系统复杂度
竞争优势
性能更优于单管方案
集成化设计消除了开关管间的寄生电感，实现无缝开关并提升压摆率
更低的栅极电荷与输出电荷，有效降低整体开关损耗
卓越的反向导通能力，显著增强系统运行灵活性
应用领域
USB-C适配器与充电器
低功率电机驱动
LED照明应用
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