NB7400高集成度二次保护芯片。专为2至4节锂离子/锂聚合物电池组设计,采用耐高电压工艺与精密电压检测技术,满足严苛的安全标准

来源:Nisshinbo Micro Devices Inc.

发布时间:2025-09-04

NB7400为多节电池应用提供双重安全保障。当主保护芯片因故障失效时,该次级保护芯片可独立检测异常过充状态(支持2-4节电池组),通过熔断机制永久切断充电回路,有效预防热失控、电池爆裂等危险情况


产品特性:
• 宽电压支持:最高耐受32V输入电压
• 高精度检测:过充检测电压可编程(4.20V-4.85V),精度达±20mV(25℃)
• 抗干扰设计:可选2/4/6秒延时复位功能,避免误触发
• 超低功耗:正常工作时仅2.5μA,欠压时切换至0.2μA休眠模式
• 集成稳压器:提供1.5V-3.3V稳定输出(精度±2%),支持外接RTC等元件

该芯片采用DFN(PL)2020-8-GH微型封装(2.0×2.0×0.55mm),提供多种电压/延时组合配置。


NB7400 技术规格

高耐压半导体工艺
● 绝对最大额定值:32V
● 低工作电流:  正常模式(4节电池,单节电压4.15V):典型值2.5μA
关机(待机)模式:最大值0.2μA

1-4节电池高精度电压检测

●过充检测电压及精度: 4.20V至4.85V可调,±0.020V(25℃),±0.025V            (0℃<Ta<60℃)
● 过充检测延时(带延时缩短功能(1)):2秒/4秒/6秒可选
● 过充解除电压(VREL1n):VDET1n−0V至VDET1n−0.4V
● 过充解除条件:电压释放型

输出电压
● 内置稳压器VROUT引脚输出电压(VVROUT)及精度:1.5V至3.3V可调,±2%
● COUT引脚(CMOS输出,高电平有效)输出电压:典型值4.7V

关机功能
● 关机检测电压(VSHTDn)及精度:2.0V(2)至3.0V可调,±0.05V
● 关机检测延时:2秒/4秒/6秒可选
● 关机解除电压(VSHTRn):VSHTDn+0.2V

可选过充定时器复位延时

封装
● NB7400GH封装型号:DFN(PL)2020-8-GH(2.0×2.0×0.55mm)

注:
(1) 当VDD‒VC1引脚施加4V±0.2V电压时,延时缩短至原值的约1/80
(2) 仅两节电池串联时,VSHTD2≥2.3V


典型应用电路

0
0
收藏
纠错

免责声明

  • 1、本文内容版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议,请联系感算商城(service@gansuan.com),我方将及时处理。
  • 2、本文的引用仅供读者交流学习使用,不涉及商业目的。
  • 3、本文内容仅代表作者观点,感算商城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为,是基于自主意愿和独立判断做出的,请读者明确相关结果。
  • 4、如需转载本方拥有版权的文章,请联系感算商城(service@gansuan.com)注明“转载原因”。未经允许私自转载感算商城将保留追究其法律责任的权利。

最新消息通知

样品申请

  • 品牌
  • 申请数量

  • 商品分类
  • 单价
    -
  • 封装
  • 库存
  • 供应商
  • 小计
    -
  • 1.多样品申请请先加入样品清单
  • 2.样品申请数量有限,超过限额可能不能获批
纠错反馈 关闭
感谢您对感算商城的支持,帮助我们共同提升商品信息的准确性。
如果您发现商品介绍、规格参数、规格书、商品图片等信息有误或不完善,欢迎指出。
感谢您对感算商城的支持,帮助我们共同提升网站内容信息的准确性。
如果您发现网站内容信息有误或不完善,欢迎指出。
纠错内容

上传附件
最多可添加3个文件,支持多种格式,每个大小不超过20MB
*详细描述
0/200