NB7400高集成度二次保护芯片。专为2至4节锂离子/锂聚合物电池组设计,采用耐高电压工艺与精密电压检测技术,满足严苛的安全标准

来源:Nisshinbo Micro Devices Inc.

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发布时间:2025-09-04

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NB7400为多节电池应用提供双重安全保障。当主保护芯片因故障失效时,该次级保护芯片可独立检测异常过充状态(支持2-4节电池组),通过熔断机制永久切断充电回路,有效预防热失控、电池爆裂等危险情况


产品特性:
• 宽电压支持:最高耐受32V输入电压
• 高精度检测:过充检测电压可编程(4.20V-4.85V),精度达±20mV(25℃)
• 抗干扰设计:可选2/4/6秒延时复位功能,避免误触发
• 超低功耗:正常工作时仅2.5μA,欠压时切换至0.2μA休眠模式
• 集成稳压器:提供1.5V-3.3V稳定输出(精度±2%),支持外接RTC等元件

该芯片采用DFN(PL)2020-8-GH微型封装(2.0×2.0×0.55mm),提供多种电压/延时组合配置。


NB7400 技术规格

高耐压半导体工艺
● 绝对最大额定值:32V
● 低工作电流:  正常模式(4节电池,单节电压4.15V):典型值2.5μA
关机(待机)模式:最大值0.2μA

1-4节电池高精度电压检测

●过充检测电压及精度: 4.20V至4.85V可调,±0.020V(25℃),±0.025V            (0℃<Ta<60℃)
● 过充检测延时(带延时缩短功能(1)):2秒/4秒/6秒可选
● 过充解除电压(VREL1n):VDET1n−0V至VDET1n−0.4V
● 过充解除条件:电压释放型

输出电压
● 内置稳压器VROUT引脚输出电压(VVROUT)及精度:1.5V至3.3V可调,±2%
● COUT引脚(CMOS输出,高电平有效)输出电压:典型值4.7V

关机功能
● 关机检测电压(VSHTDn)及精度:2.0V(2)至3.0V可调,±0.05V
● 关机检测延时:2秒/4秒/6秒可选
● 关机解除电压(VSHTRn):VSHTDn+0.2V

可选过充定时器复位延时

封装
● NB7400GH封装型号:DFN(PL)2020-8-GH(2.0×2.0×0.55mm)

注:
(1) 当VDD‒VC1引脚施加4V±0.2V电压时,延时缩短至原值的约1/80
(2) 仅两节电池串联时,VSHTD2≥2.3V


典型应用电路

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