性能跃升！华润微第七代高性能IGBT系列产品，助力工业应用提频增效
来源：华润微
发布时间：2025-07-01
阅读量：6
基于华润微电子12吋功率器件晶圆产线的先进工艺能力，华润微电子功率器件事业群（以下简称PDBG）快速开发并成功推出第七代(Trench FS Ⅶ)高性能IGBT系列产品，覆盖650/750/1200V电压平台，为光伏逆变器及储能系统、UPS、SVG等应用领域提供了有效的提频增效解决方案。
图1.产品封装外形
PDBG第七代IGBT介绍
PDBG第七代IGBT采用微沟槽工艺，通过优化元胞设计和寄生电容参数，同时在更薄芯片的基础上调制背面FS层轮廓，有效降低导通压降和开关损耗，显著提升高温特性、可靠性、鲁棒性及并联适配性。
图2.采用微沟槽工艺的IGBT结构
PDBG第七代IGBT产品优势
以图3和图4所示650V 120A器件为例，解析PDBG第七代IGBT的正向导通压降和开关损耗。在常温及高温情况下，相较于行业同规格产品，第七代IGBT具有更优的饱和压降，更小的温度变化率。在Ic=120A条件下，第七代IGBT在常/高温下Eon、Eoff、Etotal均为最优，总开关损耗较友商低至少15%。由此，PDBG第七代IGBT在温升改善和效率提升方面展现出明显的性能优势，高度适配光伏、储能应用场景。
图3.正向导通压降Vcesat对比
图4.开关损耗对比
PDBG第七代IGBT芯片搭配高性能第三代FRD，产品Vth、Vcesat、Vf 等参数一致性表现优异，高压开关波形稳定平滑，确保并联应用高可靠性。产品已在储能及光伏逆变器、UPS等领域完成验证，并实现头部客户批量供货。
在光伏应用领域，PDBG可提供全套功率器件解决方案。以一台20kW裂相机T型三电平光伏逆变器为例，其逆变拓扑中共使用8颗第七代IGBT，分别为4颗650V 120A H系列IGBT和4颗750V 120A H系列IGBT（见下表）。
图5.T型三电平光伏逆变器拓扑图
△光伏逆变器拓扑器件表
依托12吋先进工艺平台与持续的研发投入，PDBG快速完成第七代IGBT产品系列化，已拓展650V、750V、1200V三个电压平台，电流覆盖40A~160A，该系列产品可有效降低系统损耗、显著提升系统效率，助力工业应用提频增效。PDBG第七代IGBT系列化产品的推出既丰富了公司IGBT产品矩阵，更标志着公司具备量产高端IGBT的能力。未来，PDBG将以核心技术突破驱动产品迭代，以全流程品控保障产品性能稳定，以多元产品满足不同领域客户需求，以高效响应的服务为客户创造价值。
产品列表
免责声明
- 1、本文内容版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议，请联系感算商城（service@gansuan.com），我方将及时处理。
- 2、本文的引用仅供读者交流学习使用，不涉及商业目的。
- 3、本文内容仅代表作者观点，感算商城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为，是基于自主意愿和独立判断做出的，请读者明确相关结果。
- 4、如需转载本方拥有版权的文章，请联系感算商城（service@gansuan.com）注明“转载原因”。未经允许私自转载感算商城将保留追究其法律责任的权利。