QDPAK&TOLT顶部散热封装，助推华润微SJ&SiC MOS进一步提升终端产品功率密度
来源：华润微
发布时间：2025-07-01
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随着高端科技的不断发展，现代工业、车业等高端应用领域对功率器件提出了更高功率密度、更低功耗、体积小、散热能力强等严苛的要求。为此，华润微电子功率器件事业群（以下简称PDBG）推出了基于QDPAK&TOLT顶部散热封装的SJ&SiC MOSFET产品，高度匹配OBC、AI服务器电源等高端应用领域需求。
顶部散热剖面图
QDPAK&TOLT是在华润微电子先进功率器件封装基地自主研发成功的新型封装，采用顶部散热创新理念，相较于传统封装方式，可以优化产品的热导率和电导率，允许更高的芯片温度、更高的功率密度并延长系统寿命，不仅克服了传统贴片封装只能通过PCB板散热的限制，还能使PCB设计具有高度的灵活性，扩大了产品的应用范围，提高了产品性能竞争力。
与此同时，QDPAK&TOLT封装方式允许更大的装片面积，可进一步提升产品的功率。该封装方式结合SJ&SiC MOSFET芯片，促使功率器件具有“体积小、重量轻、功率密度高、效率高”等诸多优点，满足高端应用场景需求，备受客户青睐。
顶部散热，散热片面积>120mm²，具有高耗散能力
内置Kelvin源配置，低寄生电感
TCOB> 2000个循环
相比于JEDEC标准，增加了1mm的爬电距离，满足高压应用
鸥翼型引脚
减少寄生电感，降低开关损耗，提高效率和易用性
提供更高功率密度解决方案
低RDS(ON)，高电流能力
将SMD封装概念扩展到高功率/高电流领域
灵活的PCB布局
焊点检测容易，焊点可靠性高
克服PCB散热限制，实现高度自动化
OBC、充电桩、储能设备、AI服务器电源、通信设备等。
顶部散热，散热片面积大于45mm²
内置Kelvin源配置，低寄生电感
TCOB> 2000个循环
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高额定电流>300A
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鸥翼型引脚（较QDPAK体积更小，节约PCB面积）
提高系统效率
高功率密度
低RDS(ON)，高电流能力
优异的热性能
节省冷却系统
大幅降低产品至散热片热阻
焊点检测容易，焊点可靠性高
大电流应用
改善温度循环寿命（相比于TOLL x2）
改善散热能力，提高电流处理能力（相比于TOLL提升36%）
通信电源、服务器电源、工业电源等。
PDBG目前已有多颗SJ G4系列和SiC G2系列MOSFET采用了顶部散热封装，并推向市场应用。该系列产品兼顾了芯片低Rsp、开关损耗低、优异体二极管反向恢复特性、鲁棒性强的特点和QDPAK&TOLT封装高功率密度、低功耗、封装体积小、高散热的优越特性，是服务器电源、OBC、充电桩等领域的优选，得到客户高度认可。
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