碳化硅开关变换器缓冲电容选型指南（上）
来源：Knowles(楼氏)
发布时间：2026-09-30
当下多数变换电路均选用碳化硅（SiC）半导体开关，替代传统硅（Si）器件。硅碳复合形成的碳化硅材料具备出色的机械、化学与热性能，因此基于碳化硅的转换器耐压能力可达硅基转换器的十倍，同时还能大幅降低功率损耗。这些特性使得此类转换器成为电力电子、工业设备以及电动汽车（EV）充电站等应用的绝佳选择。在本文中，我们将深入探讨使用阻尼电路保护基于碳化硅转换器的优势，并重点讨论如何通过优化电容器选型进一步提高这些转换器的效率。
碳化硅开关变换器中缓冲电路的应用
当开关操作高速切换时，dv/dt 和 di/dt 会增加，这与寄生电感耦合后，可能会导致较大的浪涌电压和/或浪涌电流。为避免超出器件最大额定电压、电流，需要一种方法来控制浪涌电压和浪涌电流。实现这一目标的一种有效方法是使用阻尼电路。在开关转换器中使用阻尼电路具有以下优点：
抑制电压和/或电流尖峰
降低 dv/dt 与 di/dt
抑制振荡振铃
将负载维持在安全工作区间
减小损耗、振荡效应与电磁干扰（EMI）
实现功耗转移
以碳化硅（SiC）作为功率开关器件的基材时，上述优势会进一步放大。因为与仅使用硅（Si）相比，碳化硅具备以下优势：
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