使用REXFET MOSFET降低RDS（on）
来源：Renesas(瑞萨电子)
发布时间：2026-03-24
用于大电流应用的MOSFET的核心技术挑战在于，在保持优异开关性能的同时，实现低导通电阻。随着现代电源采用基于PWM的系统和更高的开关频率，最大限度地减少导通损耗和开关损耗变得至关重要。
为应对这一挑战，瑞萨电子的REXFET-1工艺采用分离栅结构，并在此前专注于P柱实现的ANM1/ANM2超结技术基础上进一步提升，以实现：
• RON指数改善至0.24（与前几代的0.36相比）
• 超低导通电阻，可降低导通损耗并降低散热
• 以小型封装实现高功率密度
• 降低栅极电荷（QG）和栅极电容，优化开关特性
结合多线键合（multi-wire）和夹片键合（clip bonding）等先进封装技术，REXFET-1器件在实现低导通电阻和高速开关的同时，满足严格的汽车可靠性标准。
此外，我们采用融合多年经验的坚固设计，确保产品具有高度可靠性和耐用性，使设计人员能够放心使用。我们专门为电池管理系统（BMS）和电机应用设计了80V至150V的REXFET-1系列产品。
瑞萨电子MOSFET技术的发展
REXFET-1平台的开发是瑞萨电子在推进功率MOSFET技术方面悠久历史的一部分。从1979年日立推出首款垂直型MOSFET开始，瑞萨电子始终引领行业创新，包括在2003年推出首款用于英特尔芯片组的DrMOS。在接下来的几十年中，超结技术、用于智能手机的倒装芯片封装以及铜夹结构等创新进一步提升了效率和功率密度。
瑞萨电子功率MOSFET的发展历程
REXFET-1系统级性能
BLDC电机控制在工业和汽车应用中都非常普遍。为了验证REXFET-1在实际应用中的性能，瑞萨电子在BLDC电机驱动系统中评估了采用TOLL封装的100V和150V产品。我们还将REXFET-1 100V RBA300N10EANS-3UA02（工规版RBE015N10R1SZQ4）和150V RBA190N15YANS-3UA04（工规版RBE039N15R1SZQ4）的性能与市场上的主要器件进行了性能对比。
REXFET-1与竞品器件在最高60A条件下进行了测试，并比较了平均结温。在10kHz和20kHz开关频率下，结温结果保持与最佳竞品器件相当的水平。
100V REXFET-1 RBA300N10EANS-3UA02/RBE015N10R1SZQ4的系统评估结果
REXFET-1器件在相同系统条件下表现出较低的电压振荡和尖峰。在电机控制应用中，较高的振荡和电压尖峰可能导致系统可靠性问题，并产生较高的电磁干扰（EMI）。REXFET-1器件始终表现出具有竞争力的效率、热稳定性和抗EMI能力。
100V REXFET-1导通波形比较
我们丰富的REXFET-1产品组合代表了功率MOSFET技术的重大进步。凭借分离栅晶圆工艺和先进的封装技术，REXFET-1器件能够实现：
•与前几代沟槽工艺相比，RSP降低30%
•卓越的导通损耗与开关损耗平衡
•丰富的封装选项（3x3、5x6、TOLL、TOLG、TOLT），以满足多样化的系统需求。
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