CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件采用TO-247 4pin高爬电距离封装
来源：Infineon(英飞凌)
发布时间：2026-06-23
新品
CoolSiC™ MOSFET 1200V G2
7mΩ分立器件采用TO-247 4pin
高爬电距离封装
英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件，在第一代技术优势基础上实现显著提升，为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能，广泛适用于各类AC-DC、DC-DC及DC-AC功率级组合。
产品型号：
■ IMZC120R007M2H
产品特性
在VGS=18V、Tvj=25°C条件下导通电阻典型值7.5mΩ
极低的开关损耗
更宽的栅极电压VGS范围-10V至+25V
支持最高结温200℃过载运行
行业标杆级栅极阈值电压VGS(th)=4.2V
强抗寄生导通能力，支持0V栅压关断
适用于硬换流的体二极管
应用价值
更优能效表现
冷却系统优化
更高功率密度
新增鲁棒特性
高可靠性设计
易于并联
竞争优势
增强性能：开关损耗更低与效率更高
.XT扩散焊技术：优化热阻，降低MOSFET工作温度
业界领先的RDS(on)导通电阻性能
独特的鲁棒性设计
应用领域
通用变频驱动器
在线式/工业UPS
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