面向近地轨道应用的新型抗辐射低压整流器芯片-感算商城

面向近地轨道应用的新型抗辐射低压整流器芯片

来源：STMicroelectronics(意法半导体)

发布时间：2026-05-13

意法半导体扩展其抗辐射集成电路产品系列，新增三款专为近地轨道卫星电源电路设计的低压整流二极管。LEO1N58xx二极管采用批量生产的轻量化SOD128塑料封装，可直接用于飞行任务，为开关电源及高频DC-DC转换器等电路提供可靠的电源管理与保护功能。

LEO1N58xx系列采用意法半导体久经航天验证的肖特基功率整流与和超快恢复二极管制造技术，能够满足新兴航天产业对成本效益、抗辐射性、小型化、质量保证及更大规模供应的严苛要求。该系列产品基于已通过欧洲航天元器件协调组织（ESCC）认证的意法半导体航天级二极管开发而成，新推出的LEO适用器件采用符合汽车行业IATF 16949标准的制造流程生产，具备晶圆级追溯能力，生产过程执行严格的质量控制。这些器件均符合AEC-Q101认证标准，经过晶圆批次验收测试（WLAT），并随附产品合格证书（CoC）。

LEO1N5819肖特基二极管的通态电流为1A，最大反向电压为45V；LEO1N5822肖特基二极管的通态电流为3A，最大反向电压为40V；LEO1N5811超快恢复二极管的通态电流为6A，最大反向电压为150V。两款肖特基器件的工作结温在-40°C至150°C之间，而LEO1N5811的最大结温提高到175°C。

这三款产品都采用专门的抗辐射加固设计，适用于恶劣的工作环境条件，包括存在温度、总电离辐射（TID）、非电离辐射（TNID）和单粒子效应（SEE）的环境，符合ESCC 22900的TID测试要求（最高300krad(Si)）、ESCC 22500的TNID测试要求（最高3 x 10¹¹p/cm^2）和ESCC 25100的单粒子烧毁（SEB）测试要求（最高60MeV/cm²/mg）。