村田首款，1210英寸、额定电压1.25kV、静电容达15nF的汽车用陶瓷电容器-感算商城

村田首款，1210英寸、额定电压1.25kV、静电容达15nF的汽车用陶瓷电容器

来源：村田

发布时间：2026-03-04

株式会社村田制作所初次^*开发并开始量产了1210英寸（3.2×2.5mm）尺寸、额定电压1.25kV、具备C0G特性的、15nF静电容量的多层片式陶瓷电容器。该产品可用于车载充电器（OBC）及高性能民用电子设备的电源电路，有助于实现高效率的电力变换，并在高电压条件下稳定运行。(^*由村田调查得出，截至2025年12月1日。)

主要特点

在1210英寸（3.2×2.5mm）尺寸、额定电压1.25kV且具备C0G特性的前提下，实现了15nF特大静电容量的多层片式陶瓷电容器。

1.25kV高耐压，适配SiC MOSFET。

C0G特性带来低损耗与稳定的电容值。

车载充电器（OBC）安装于电动汽车（EV）上，从外部电源为车载电池充电的装置。在电动汽车搭载的车载充电器以及民用设备的电源电路中，通常会包含用于高效电力变换的谐振电路，以及用于遏制电流、电压峰值的缓冲（吸收）电路。由于这两类电路中高电压与大电流反复作用，元件性能的轻微变化就可能导致效率下降、设备发热，进而可能引发工作异常或故障。因此，市场亟需具备在温度变化下性能稳定、损耗低且能承受高电压的电容器。

近年来，电源电路中的开关器件正从Si MOSFET向能够实现更高效率与高速开关的SiC MOSFET转移。开关半导体器件以高速对电流进行通断控制，实现电压与频率变换的，Si MOSFET采用硅半导体的电力控制用开关器件，多用于低至中耐压场景。SiC MOSFET是采用碳化硅的高耐压、高效率电力控制用开关器件，多用于超过1.2kV的场景，通常要求1.2kV的耐压规格，因此对额定电压高于该水平的电容器需求在增加。

为此，村田通过特有的陶瓷材料与内部电极薄层化技术，首次在1210英寸尺寸实现了额定电压1.25kV、具备C0G特性、静电容量为15nF的本产品，并已开始量产。借助C0G特性的低损耗及电容随温度变化的稳定性，本产品适用于谐振电路与缓冲（吸收）电路。

主要规格

芯片尺寸代码(英寸/毫米)	1210英寸(3.2×2.5mm)
温度特性(对应标准)	EIA
温度特性	C0G
工作温度	-55~125°C
电容值	4.7~15nF
电容容差	±1~±5%
额定电压(DC)	1,250Vdc