东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET
来源：Toshiba Corporation(东芝)
发布时间：2025-09-19
阅读量：28
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件已开始支持批量出货。
三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，可将器件体积锐减80%以上，并提升设备功率密度。
此外，TOLL封装还具有比通孔封装更小的寄生阻抗[2]，从而降低开关损耗。作为一款4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；在TW048U65C的外壳中，与东芝现有产品[5]相比，其开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备功耗。
未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。
第3代SiC MOSFET封装产品线
测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH、Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω
续流二极管采用各产品源极及漏极间的二极管。（东芝截至2025年8月的比较）
图1：TO-247与TOLL封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较
应用
服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源
电动汽车充电站
光伏逆变器
不间断电源
特性
表面贴装TOLL封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗
东芝第3代SiC MOSFET
1）
通过优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性
2）
低漏源导通电阻×栅漏电荷
3）
低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25°C）
免责声明
- 1、本文内容版权归属原作者、原发表出处。若版权所有方对本文的引用持有异议，请联系感算商城（service@gansuan.com），我方将及时处理。
- 2、本文的引用仅供读者交流学习使用，不涉及商业目的。
- 3、本文内容仅代表作者观点，感算商城不对内容的准确性、可靠性或完整性提供明示或暗示的保证。读者阅读本文后做出的决定或行为，是基于自主意愿和独立判断做出的，请读者明确相关结果。
- 4、如需转载本方拥有版权的文章，请联系感算商城（service@gansuan.com）注明“转载原因”。未经允许私自转载感算商城将保留追究其法律责任的权利。
