第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封装分立器件产品扩展
来源：Infineon(英飞凌)
发布时间：2025-08-20
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新品
第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V
Q-DPAK封装分立器件产品扩展
CoolSiC™ 1200V MOSFET（顶部散热Q-DPAK单管封装）专为工业应用设计，适用于电动汽车充电、光伏、不间断电源（UPS）、固态断路器（SSCB）、工业驱动、人工智能（AI）及网联自动驾驶汽车（CAV）等领域。
产品型号：
■ IMCQ120R007M2H
■ IMCQ120R010M2H
■ IMCQ120R017M2H
产品特点
SMD顶部散热封装
低杂散电感设计
采用CoolSiC™ MOSFET 1200V第二代技术，具备增强的开关性能和FOM系数
.XT扩散焊
模塑化合物（CTI＞600）及模塑槽（CD＞4.8mm）
优异的耐湿性能
具备雪崩鲁棒性、短路耐受能力及功率循环可靠性
应用价值
更高功率密度
支持自动化组装
简化设计复杂度
卓越的热性能表现
降低系统功率损耗
支持950V RMS工作电压
高可靠性设计
降低总体成本
竞争优势
更高的功率密度
相比BSC封装显著提升热性能
简化电气设计流程
应用领域
光伏
电动汽车充电
不间断电源UPS
固态断路器
AI
工业驱动
CAV
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