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英飞凌CoolSiC™ 第五代1200 V碳化硅肖特基二极管

来源：Infineon(英飞凌)

发布时间：2025-08-20

新品

第五代碳化硅CoolSiC™

肖特基二极管1200V

CoolSiC™1200V肖特基二极管采用TO-247-2封装，可实现高效紧凑设计，具有增强的鲁棒性和可靠性。该产品通过了雪崩测试验证，电流等级高达150A，采用.XT扩散焊技术，拥有丰富的产品组合。

产品型号：

■ IDWD50G120C5

■ IDWD60G120C5

■ IDWD75G120C5

■ IDWD150G120C5

产品特点

雪崩鲁棒性

.XT扩散焊

无反向恢复电流

无正向恢复电压

开关特性不随温度变化

高温工作条件下正向压降低

严格的正向电压分布

高浪涌电流承载能力

应用价值

即插即用兼容硅二极管

较硅二极管显著提升系统效率

支持高频解决方案

提高功率密度

增强系统可靠性

竞争优势

雪崩鲁棒性

.XT扩散焊

电流高达150A

应用领域

光伏

电动汽车充电

不间断电源UPS

焊接

焊接不间断电源UPS 电动汽车充电光伏逆变器光伏/光热碳化硅肖特基二极管二极管

纠错

第二代CoolSiC™ MOSFET 1200V Q-DPAK封装分立器件产品扩展

使用IGW电感式接近开关测量不同的金属目标物

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