来源:巴丁微
发布时间:2025-2-5
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BDP8603是一种交流转直流的全桥转换芯片,内部集成20V耐压的高压功率MOSFET。其中,NMOS典型导通电阻RON是50毫欧(VGS =4.5V);PMOS典型导通电阻RON是90毫欧(VGS =-4.5V)。BDP8603具有集成MOS导通电阻小、低阈值开启电压(典型0.7V);应用灵活;采用SOT-23-6L封装,体积小等特点。其典型的电路原理图如下:
BDP8603可广泛应用于整流桥、交流充电的手持设备、交流转直流应用、无线充电等领域。其中,交流转直流应用案例如下图: