来源:Rohm(罗姆)
发布时间:2025-10-14
作为电驱动总成系统的核心部件,此次采用罗姆SiC MOSFET的逆变砖,对电动汽车的效率和性能有十分显著的作用。这款高性能逆变砖突破电动汽车牵引逆变器领域通常支持的800V电压,可支持更高的电池电压,并实现了650Arms的峰值电流输出。凭借罗姆的SiC技术,该产品不仅实现了高效率和高输出功率,还实现了产品小型化,将作为推动下一代电动汽车普及的重要产品投入市场。
逆变砖
SiC MOS晶圆
舍弗勒集团 电驱动事业部CEO
陶斯乐(Thomas Stierle)表示
“在电动出行解决方案领域,我们通过采用可扩展与模块化的策略,成功开发出适用于从单独部件到高集成度电驱桥的逆变砖。我们以通用平台开发为基石,成功在短短一年内针对中国市场日益普及的X in 1架构开发出优质产品并投入量产。”
罗姆 董事兼常务执行官
伊野 和英表示
“舍弗勒逆变砖能够采用罗姆第4代SiC MOSFET并实现量产,我们深感荣幸。罗姆的SiC技术可显著提升电动汽车的效率和性能,通过与舍弗勒的合作,将进一步推动汽车产业的创新与可持续发展。”
舍弗勒集团 电驱动事业部CEO 陶斯乐
(Thomas Stierle)(左)与
罗姆 董事兼常务执行官 伊野 和英(右)