全球30家GaN功率器件厂商
来源：VICTRONICS
发布时间：2025-06-19
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氮化镓（GaN）作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一，凭借其宽带隙、高电子迁移率、高开关频率、低导通电阻、耐高压、耐高温等综合优势，在功率器件领域展现出巨大的发展潜力。
GaN氮化镓的由来与演变
1928年，被人工合成。
1969年，美国研究人员Maruska, H.P. and Tietjen, J.J.利用卤化物气相外延技术制备出第一个高质量的氮化镓单晶薄膜。
1985年，日本科学家H.Amano等人在蓝宝石衬底上成功进行高质量氮化镓的金属有机化学气相外延生长。
1993年，美国科学家M. Asif Khan成功研制出第一个氮化镓金属半导体场效应管。
1998年，氮化镓的研发从实验室逐渐向高新技术企业转移
2009年，EPC公司推出第一款商用氮化镓（eGaN）
2010年，IR公司推出商用GaN集成功率器件
2014年，Infineon收购IR公司
2019年，Cree公司聚焦GaN射频器件和SiC电力电子器件
全球30家GaN氮化镓功率器件企业汇总
排名不分先后
以下是这些公司所属的国家：
1. Efficient Power Conversion（EPC）：美国
2. Navitas Semiconductor：美国
3. GaN Systems：德国，已被Infineon收购
4. 德州仪器（Texas Instruments）：美国
5. 英飞凌科技（Infineon）：德国，收购GaN Systems， IR
6. 意法半导体（STMicroelectronics）：意大利/法国，收购Exagan
7. 三菱电机（Mitsubishi Electric）：日本
8. 东芝（Toshiba）：日本
9. 住友电工（Sumitomo Electric Industries）：日本
10. Qorvo：美国
11. MACOM Technology Solutions：美国
12. 英诺赛科：中国
13. 三安光电：中国
14. 华润微：中国，收购大连芯冠
15. 士兰微：中国
16. 瑞能半导体：中国
17. 昂瑞微电子：中国
18. Microsemi（已被Microchip Technology收购）：美国
19. 成都氮矽：中国
20. 镓未来：中国
21. 松下：日本
22. GaN Power：加拿大，在中国名称苏州量芯微
23. Power Intergrations：美国
24. Nexperia：中国，闻泰集团
25. 能华微：中国
26. Renesas收购Transphorm：Renesas是日本公司，Transphorm是美国公司
27. AOS：美国（万代半导体）
28. VISIC：以色列
29. ROHM: 日本
30. Wolfspeed: 美国， 前身是Cree
电子行业参与者而言
GaN氮化镓功率器件作为具有广阔应用前景的半导体产品，正处于快速发展阶段。对于电子行业参与者而言，应关注GaN技术发展趋势和企业竞争格局变化，把握市场机遇，应对潜在挑战。
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