多系列产品硬核破局！攻克AI数据中心能效难题-感算商城

多系列产品硬核破局！攻克AI数据中心能效难题

来源：onsemi(安森美)

发布时间：2026-07-02

AI数据中心面临什么样的能耗挑战？

AI 算力需求的爆发式增长带来了诸多挑战。一方面，单机架功率密度已突破 100kW，传统电源方案在高功率转换过程中，开关损耗与传输损耗问题凸显，能源浪费严重；另一方面，AI 任务负载存在动态波动特性，传统电源在 10% 以下的轻载场景中效率大幅下降，难以实现全时段能效优化。

安森美的核心技术方案是什么？

最新一代 650V M3S EliteSiC MOSFET具备卓越的开关性能和低器件电容，与上一代产品相比，栅极电荷减少 50%，输出电容能量和输出电荷均降低 44%，这些优势使其在高频率、高功率密电源转换场景中表现突出，能显著降低开关损耗，提升系统效率。

PowerTrench^®T10 MOSFET系列则采用屏蔽栅极沟槽技术，拥有超低栅极电荷和低于 1mΩ 的导通电阻，可在紧凑封装中实现更高的功率密度和优异的热性能。同时，其软恢复体二极管和低反向恢复电荷能有效减少振铃和噪声，进一步提升系统可靠性和稳健性。

针对 AI 领域大电流、高功率场景的核心痛点，SiC Cascode JFET 展现出独特优势。该产品具备超低导通电阻、更高的峰值电流、低热阻以及栅极驱动兼容性等特点，非常适用于 AI PSU 设计，为实现下一代 20kW 系统提供有力支持。

此外，安森美推出的第一代基于 1200V SiC MOSFET 的 SPM31 智能功率模块（IPM）系列，在超紧凑的封装尺寸中实现了超高的能效和功率密度，相比市场上其他领先解决方案，能降低整体系统成本。该系列 IPM 改进了热性能、降低了功耗，支持快速开关速度，且以紧凑封装提供业界领先的广泛可扩展、灵活的集成功率模块解决方案，十分适用于 AI 数据中心的三相变频驱动应用。

安森美如何保障供应链稳定？

安森美通过深度的垂直整合与紧密的供应链协同战略，为解决方案的稳定供应保驾护航。在 SiC 这一核心领域，安森美构建了从衬底生长、外延、晶圆制造到模块封装的完整垂直整合供应链。

未来安森美的研发重点是什么？

当前数据中心电源输出功率多在 3-5kW，未来将向 20kW 以上快速演进。以单个 AI 服务器机架为例，其功耗已从 15-30kW 攀升至 90-120kW，部分超大规模数据中心甚至需要支持 25-30kW 的高压直流（HVDC）架构，这对电源系统提出了更高要求，需在保持高可靠性的同时，突破传统硅基器件的物理极限。

基于这一趋势，安森美明确了未来研发投入的三大核心方向。首先，持续迭代 SiC 技术平台，深化 EliteSiC 系列研发，后续将优化器件电容与栅极驱动兼容性，以适配高功率架构；其次，优化硅基功率器件性能，升级 PowerTrench^® T10 系列，提升 DC-DC 转换的大电流承载能力及热稳定性，满足 AI 服务器多相供电需求；最后，强化垂直整合与场景化方案，推进 SiC 生产基地扩建，保障 SiC 器件产能稳定，同时投资于创新的器件结构设计、封装等研究。