行业标准 SOT-227 封装的 1200 V SiC MOSFET 功率模块提升功率效率-感算商城

行业标准 SOT-227 封装的 1200 V SiC MOSFET 功率模块提升功率效率

来源：Vishay Sfernice(威世)

发布时间：2026-06-12

1200 V MOSFET 功率模块

这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案

Vishay 宣布，推出五款全新的 1200 V MOSFET 功率模块，其目标在于提升汽车、能源、工业及通信系统中高频应用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120 和 VS-SF200SA120 采用了Vishay最新一代碳化硅（SiC）MOSFET，并且以行业标准的 SOT-227 形式进行封装。

此次推出的每个功率模块都采用单开关和低边斩波器配置，内置的 SiC MOSFET 集成了软体二极管，可实现低反向恢复特性。这种设计降低了开关损耗，提高了效率，可适用于太阳能逆变器、电动汽车（EV）车载充电器、SMPS、直流/直流转换器、不间断电源（UPS）、暖通空调（HVAC）系统、大规模电池储能系统以及通信电源设备等领域。

VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120 和 VS-SF200SA120 采用紧凑型的 SOT-227 封装，使得这些器件能够作为现有设计中竞品的“即插即用”型替代方案。这样，设计人员无需对 PCB 布局进行更改，即可采用最新的 SiC 技术，从而节省成本。模压封装还可提供高达 2500 V（一分钟）的电气绝缘，通过消除组件与散热器之间对额外绝缘措施的需求，进一步降低了成本。

这些功率模块提供 50 A 至 200 A 的连续漏极电流，导通电阻低至 12.1 mΩ。这些器件符合 RoHS 标准，具备低电容高速开关特性，并可支持 +175 °C 的最高工作结温。

器件规格表