NS800RT113x实时控制MCU,开启“M7平权”新时代

来源:NOVOSENSE(纳芯微电子)

发布时间:2026-05-22

随着行业对算力与实时性的要求不断提升,传统 MCU 平台在运算能力、存储速度与外设性能方面逐渐显现瓶颈。为解决这一挑战,纳芯微推出 NS800RT113x 系列 MCU,该系列基于 Arm® Cortex®-M7 内核,集成自研 mMATH 数学加速核、高速 ADC、精细 PWM 及可编程逻辑模块等创新功能,全面满足电机控制电力电子对高性能与高实时性要求严苛的应用需求。此次发布标志着 M7 内核 MCU 进入更广泛的应用场景,为客户带来前所未有的性能平衡价值体验















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高性能高性价比M7内核

突破算力门槛

NS800RT1135/1137 搭载主频 200MHz 的 Cortex®-M7 内核,支持 ECC 的 128~256KB Flash 与 80KB TCM(CPU核内0等待内存),均支持ECC功能,显著提升实时计算性能。配合纳芯微自研的 mMATH 数学加速核,可高效处理三角函数、超越函数与浮点运算,全面增强控制类应用的算力支持


在 MCU 市场中,Cortex®-M4 内核是最常见的主流选择,而 NS800RT113x 系列率先将 Cortex®-M7 内核引入更广泛应用。相较于M4 内核,M7 内核在 DMIPS/Hz 与 CoreMark/Hz 上分别提升 83% 与 49%,并原生支持核内 TCM,实现 CPU 同频 0 等待访问

当前“算力单价”日益受到行业关注,许多应用创新与成本优化都面临算力瓶颈的制约。NS800RT113x 系列高性价比 MCU 的推出,将推动 M7 内核在、电力电子及工业控制等场景实现更广泛应用,让客户能够以合理成本获得高性能计算能力突破算力限制,释放更多创新潜能


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先进的控制外设

轻松驾驭复杂场景

该系列集成 14 路 PWM,由专用事件管理器控制,并支持多达 8 个比较点的配置,实现高精度 PWM 输出和快速波形响应。其中 2 路高精度 PWM 更可达 80ps 分辨率。高速 ADC 最高采样率达 4.375Msps,支持双模组 21 通道采集,满足复杂信号实时监测需求。片上独创的 2 个 CLB 可编程逻辑模块,可灵活实现复杂时序控制与保护电路,减少外部器件依赖,降低系统成本。


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多样接口与封装

灵活适配设计需求

NS800RT113x 系列配备 3 路 UART、2 路 SPI、2 路 I2C 及 1 路 CAN 2.0 接口,适配多样化系统需求,并提供 LQFP64、LQFP48、QFN48 与 QFN32 多种封装,兼顾高性能与灵活设计。

NS800RT113x系列选型表


NS800RT113x系列评估板


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