面对日益严格的能效标准，您的电力电子设计准备好了吗？
来源：Bourns(伯恩斯)
发布时间：2026-04-20
面对 AI 数据中心对高效率与高功率密度的迫切需求，以及 SiC/GaN 宽能隙半导体应用快速成长，Bourns 持续推动磁性组件与电路保护技术创新，协助电源设计实现更高可靠性、更优热管理与更佳系统效能。
充电桩效率提升2%的秘密
在追求极致功率密度与能效的今天，碳化硅（SiC）已成为电力电子设计的“通关密码”。本文深度对比 SiC 与传统硅基二极管，揭秘其如何助力 EV 充电桩实现 33% 的体积缩减。
与传统硅基方案相比，SiC 碳化硅肖特基二极管正以其卓越的性能重塑行业：
✅ 更高电压：轻松应对硅基二极管难以企及的高压挑战。
✅ 极致能效：在直流快充应用中，实测效率提升可达 2%。
✅ 小体积，大能量：功率密度提升 33%，在相同空间内实现更高功率产出。
从精密贴片到高功率插件，Bourns提供全系列封装支持，助力您的项目突破性能瓶颈。
Bourns 的 SiC 二极管主要针对高压和中高电流需求设计：
额定电压：提供 650 V 和 1200 V 两种主流高压规格，完美覆盖从家用服务器电源到工业级 EV 充电桩的需求。
额定电流：单管电流涵盖 5 A 至 10 A，通过并联或使用双管阵列（如 TO-247-3 封装）可实现更高的功率输出。
最高工作温度：结温 (Tj) 高达 175 °C，远超传统硅基二极管的 150 °C 上限，大幅提升了极端工况下的可靠性。
超低正向压降 (VF)：典型值在 1.29 V 至 1.45 V 之间（取决于型号），有效减少导通损耗。
为了适配不同的空间要求，Bourns 提供了从紧凑贴片到高性能散热的全系列封装：
贴片式 (Surface Mount):
TO-252 (DPAK): 经典的功率贴片封装。
DFN8x8: 极紧凑封装，适用于追求极高功率密度的超薄设计。
TO-263 (D2PAK): 兼顾自动化贴片与散热性能。
插脚式 (Through-Hole):
TO-220-2: 工业标准封装，散热稳定。
TO-247-2 / TO-247-3: 提供单管或共阴极双管配置，是高功率 DC-DC 转换器和车载充电器的理想选择。
从 650V 到 1200V，从 TO-220 到 DFN8x8，Bourns BSD 系列 SiC 二极管以更小的封装，承载更大的能量。提升 2% 的效率，为您节省的不仅是电力，更是系统的长效竞争力。
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