适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET-感算商城

适用于AI服务器的宽SOA范围5×6mm小尺寸MOSFET

来源：Rohm(罗姆)

发布时间：2026-02-24

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出实现业界超宽SOA^*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸（5.0mm×6.0mm）封装，非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路^*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。

RS7P200BM采用小型DFN5060-8S（5060尺寸）封装，与ROHM在2025年5月发售的DFN8080-8S（8.0mm×8.0mm尺寸）封装AI服务器用功率MOSFET“RY7P250BM”相比，可实现更高密度的安装。

新产品在V_DS=48V工作条件下，可确保脉冲宽度10ms时7.5A、1ms时25A的宽SOA范围，同时，还实现了与之存在权衡关系的低导通电阻（R_DS(on)）^*3 4.0mΩ（条件：V_GS=10V、I_D=50A、Ta=25℃）。通过抑制通电时的发热，有助于提高服务器电源的效率并减轻冷却负荷，进而进一步降低电力成本。

未来，ROHM将持续扩充适用于AI服务器等所用的48V电源的产品阵容，通过提供效率高且可靠性高的解决方案，为进一步节能和构建可持续的ICT基础设施贡献力量。

开发背景

随着AI技术的飞速发展和普及，搭载生成式AI和高性能GPU的服务器对稳定运行和能效提升的需求日益增长。尤其在热插拔电路中，能够应对浪涌电流^*4和过负载、实现稳定运行的宽SOA范围功率MOSFET至关重要。另外，在数据中心和AI服务器领域，为了节能而正在加速向电源转换效率的48V电源系统转型，如何构建与其适配的高耐压、高效率电源电路成为当前的技术课题。

ROHM通过推出符合市场需求的5060尺寸封装新产品，进一步强化适用于AI服务器热插拔电路的100V耐压功率MOSFET产品阵容。未来，ROHM将继续致力于降低数据中心的功率损耗、减轻冷却负荷，进而为提升服务器系统的可靠性和节能性能做出贡献。