采用SiC的车载功率模块，如何实现更精确的高温检测？
来源：Murata（村田）
发布时间：2025-11-11
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碳化硅(SiC)半导体器件正逐渐替代硅IGBT，成为电动汽车(xEV)中功率电子技术中的关键器件。特别是在主逆变器中使用SiC功率半导体，能够提升电动汽车的续航能力，降低电池成本，并将主逆变器的体积减小一半，大大提高车辆布局设计的灵活性。
然而，SiC功率管是基于高速开关的技术，所需的结温也不断提高，一些SiC模块的额定运行温度可以超过200°C，这对SiC的内置或周边元件提出了高温要求。特别是功率模块内置的热敏电阻，要实现更精确的高温检测，需要耐高温，且更靠近功率器件。而传统热敏电阻应用中，热敏电阻与半导体之间的焊盘是分开的，远离半导体器件影响温度检测的精度。
应对上述技术挑战，村田制作所开发并成功商品化了“FTI系列”的功率半导体用NTC热敏电阻。该产品采用树脂模塑结构、且支持引线键合，可用细金属线连接半导体芯片和电极，从而将该产品设置在功率半导体附近，准确测量温度，并减少贴装面积，提高设计灵活性并降低系统成本。
FTI系列工作温度确保范围为-55°C至175°C，适合用于产生大量热量的汽车动力总成用途——比如汽车逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等将动力源产生的动力传输至车轮以使车辆行驶的系统。
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