采用SiC的车载功率模块,如何实现更精确的高温检测?

来源:Murata(村田)

发布时间:2025-11-11

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碳化硅(SiC)半导体器件正逐渐替代硅IGBT,成为电动汽车(xEV)中功率电子技术中的关键器件。特别是在主逆变器中使用SiC功率半导体,能够提升电动汽车的续航能力,降低电池成本,并将主逆变器的体积减小一半,大大提高车辆布局设计的灵活性。

然而,SiC功率管是基于高速开关的技术,所需的结温也不断提高,一些SiC模块的额定运行温度可以超过200°C,这对SiC的内置或周边元件提出了高温要求。特别是功率模块内置的热敏电阻,要实现更精确的高温检测,需要耐高温,且更靠近功率器件。而传统热敏电阻应用中,热敏电阻与半导体之间的焊盘是分开的,远离半导体器件影响温度检测的精度。

应对上述技术挑战,村田制作所开发并成功商品化了FTI系列”的功率半导体用NTC热敏电阻。该产品采用树脂模塑结构、且支持引线键合,可用细金属线连接半导体芯片和电极,从而将该产品设置在功率半导体附近,准确测量温度,并减少贴装面积,提高设计灵活性并降低系统成本。

FTI系列工作温度确保范围为-55°C至175°C,适合用于产生大量热量的汽车用途——比如汽车逆变器、DC-DC转换器、车载充电器等将动力源产生的动力传输至车轮以使车辆行驶的系统。

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