技术洞察 | 精通电流传感系列文章（三）：从安培到千安培：电流传感器架构选型与功率密度管理-感算商城

引言

随着电气化从家用电器扩展到电动汽车（EV）的大型牵引逆变器，电流传感领域“一刀切”的做法已成为历史。为帮助设计人员在不同传感器技术之间做出关键权衡，本文将讨论集成电流传感器的系统在应用层面的具体设计考量。

本文是《精通电流传感及选型指南》系列文章的第三篇，旨在为电流传感器选型提供指导。前文已阐明，了解目标应用的输入电流曲线并匹配适当的传感技术 — 霍尔效应或隧道磁阻 (TMR) — 是正确选择电流传感器的基础。

在确定了基础技术和所需的检测范围之后，下一个关键决策围绕传感器的物理实现展开。传感器架构的选择主要由待测电流的幅值和应用的功率密度要求所驱动。在牵引逆变器和工业电机中，随着系统电流从几安培扩展到数百甚至数千安培，单一方案并非总是可行，需要多种方案来应对。对于 50A 应用非常理想的集成式传感器，由于 I²R 损耗会产生额外热量，在 500A 应用中就不切实际。反之，在 10A 设计中，针对 1000A 设计的大型有磁芯组件则显得冗余且不具成本效益。

本文旨在帮助设计人员全面了解 Allegro 提供的三种电流传感器架构 — 集成式、无磁芯和有磁芯 — 的设计考量、优势与不足。文中还讨论了印刷电路板（PCB）布局的最佳实践和系统设计要求。遵循这些指南有助于确保所选传感器无论电流水平如何，都能以最佳的功率密度性能和长期可靠性运行。

集成式/有磁芯/无磁芯对比

Allegro 丰富多样的电流传感器产品组合建立在不同的架构之上，每种架构都针对特定的电流范围和应用需求进行了优化。全面掌握这些架构，包括集成导体（图 1）、有磁芯（图 2）和无磁芯（图 3），是成功选择器件的关键基础，确保所选器件能够支持从 2A 到数千安培的目标系统电流水平。

图 1：集成导体电流传感器封装

图 2：采用单列直插封装（SIP）的有磁芯电流传感器母排实现方案

图 3：无磁芯电流传感的实现方案：

母排方式（左）与 PCB 走线方式（右）

集成导体电流传感器的电流限制

集成导体传感器是一种直接、紧凑的电流传感器实现方案，其中载流导体物理集成在 IC 封装内部。电流直接流经传感器封装内的引线框架路径（图 4），内部的霍尔效应或 TMR 元件测量由此产生的磁场。

图 4：集成导体 MA/LA 封装，

显示电流流经封装内部导体（引线框架）的路径

这些器件通常设计用于需要中低电流水平的应用，检测范围通常从低于 50A（最低可至 2A）到约 400A。集成式传感器的电流处理能力受限于封装的热性能。集成导体的电阻（通常为 100µΩ 至 1.2mΩ）会产生 I²R 发热。封装必须能够安全散发这些热量，同时不超过硅芯片的最高结温。电流密度体现了传感器将热量传导到 PCB 的能力。这一热约束是这些器件通常不会用于超过数百安培电流的主要原因。

该架构在出厂时已完成校准，提供了一种简单的全集成解决方案，无需外部磁性元件，简化了 PCB 布局。Allegro ACS37220、ACS71010 或 ACS37030 等集成式电流传感器提供了一种紧凑、便捷的解决方案，简化了设计和装配过程。集成式电流传感器非常适合汽车、工业和消费类应用中的电机控制、负载检测、电源和过流故障保护系统，但并不仅限于这些应用。

下表汇总了 Allegro 集成式电流传感器产品组合中的部分解决方案。

集成式电流传感器	最大检测范围 [A]	封装标识	一次导体电阻 [mΩ]	VISO 隔离额定值 [VRMS]
ACS37010 / ACS37012	±50	LZ (custom SOIC-6)	0.68	3500
ACS37010 / ACS37012	±50	LC (SOIC-8)	1.2	2400
ACS37030 / ACS37032	±65	LZ (custom SOIC-6)	0.68	3500
ACS37030 / ACS37032	±65	MY (custom SOIC-6)	0.9	4242
CT4022 / CT4023	±65	TMR SOIC-8	1	3500
CT4022 / CT4023	±65	TMR SOIC-16	1	5000
ACS37035	±65	LA (SOIC-16)	1	4242
ACS71010	±80	MA (SOIC-16)	0.85	5000
ACS71010	±80	MC (SOICW-16)	0.625	5000
ACS37220	±200	EZ (custom 4 × 4 mm QFN)	0.1	100（功能性）
ACS772 / ACS773	±400	CB (custom 3-pin module)	0.1	4800

上下滑动，查看更多

何时应使用有磁芯电流传感器而非集成式电流传感器？

当系统电流要求超过 400A 时，应使用磁通集中器。要测量非常高的电流，需采用有磁芯方案。在这种架构中，传感器芯片不承载一次电流。相反，独立的霍尔效应传感器芯片（如 ACS37600 或 ACS70312）会与外部铁磁磁芯配合使用。一次导体（如母排）穿过该磁芯中心。磁芯会集中电流产生的磁场，并将该磁场引导至位于磁芯小气隙中的传感器。这些采用 SIP 封装的霍尔效应传感器可将大幅值一次电流转换为模拟输出。铁磁集中器同时与高电流母排保持物理隔离。这种拓扑结构不仅能处理高电流，还能天然屏蔽快速开关应用中常见的外部磁场。结合 Allegro 技术的高带宽、低噪声信号路径，有磁芯设计可支持高电流应用。

检测范围不受传感器芯片本身限制，而是由外部磁芯的设计决定。这使该架构具有灵活性，能够测量从数十安培到数百安培，乃至数千安培以上的电流。利用铁磁磁芯集中电流产生的磁场，有磁芯传感器能够测量远高于集成导体方案的电流。与集成导体方案相比，有磁芯方案需要额外的外部元件（磁芯），这增加了整个系统的成本、尺寸和重量。系统精度还取决于磁芯材料的磁特性，而磁芯材料可能存在热漂移和磁滞效应，设计时必须考虑这些因素。

虽然有磁芯电流传感器在精度和固有磁屏蔽方面表现良好，但它也带来了物理和性能上的权衡。主要缺点来自体积和机械复杂性：铁磁磁芯会显著增加设计的尺寸、重量和成本。由于磁芯饱和与磁滞效应，高电流浪涌后的剩磁可能使传感器产生永久失调误差，从而形成这种方案的“磁性上限”。有磁芯设计还天然受限于金属集中器中的涡流，这会限制传感器可用带宽。

有磁芯方案提供了一种可靠有效的方法，可测量远超集成封装热限制的极高电流，同时还提供固有的电气隔离。有磁芯方案可提升传感器灵敏度，能够以高精度测量极高电流。有磁芯电流传感非常适合需要电气隔离、电流水平超过 200A 至 400A 且要求高精度的应用，例如 EV 牵引逆变器和工业电机驱动器。

下表汇总了 Allegro 提供的部分有磁芯解决方案。

有磁芯电流传感器	典型电流范围 [A]	检测范围 [mV/G]	带宽 [kHz]	封装
ACS37600	200 至 1000+	−18 至 18	400	8 引脚 TSSOP 封装（后缀 LU）
ACS37600K	200 至 1000+	−7.2 至 7.2	400	4 引脚 SIP（后缀 KT 或 OK
ACS70310/1	200 至 4000+	0.5 至 11.5	240	4 引脚 SIP（后缀 KT 或 OK）
ACS70312	200 至 1000+	0.5 至 1.8	240	4 引脚 SIP（后缀 KT）
A1365	200 至 1000+	0.6 至 14	120	4 引脚 SIP（后缀 KT）

何时在高电流应用和非接触式测量中使用无磁芯解决方案？

无磁芯传感是一种创新架构，无需笨重的外部磁芯即可提供磁场传感器的高电流测量能力。在这种非接触式设计中，高灵敏度差分霍尔效应传感器芯片（如 ACS37610 或 ACS37612）被放置在靠近载流母排或宽 PCB 走线的位置。传感器直接测量流经导体的电流所产生的磁场。与有磁芯方案类似，无磁芯方案的检测范围具有高度灵活性，并由外部导体的几何结构（形状和尺寸）及其与传感器芯片的距离决定。这种架构非常适合测量 100A 至 4000A 以上的电流。这种灵活性使传感器能够适配广泛的电流水平。

无磁芯系统的性能高度依赖组件的机械精度。这是因为传感器与母排之间的距离和对准情况会直接影响测量灵敏度。虽然 Allegro 的差分传感技术能够出色抑制杂散磁场，但仍需要谨慎的系统设计，以屏蔽传感器使其免受显著外部磁干扰。无磁芯架构可实现最高的功率密度。在无磁芯架构中，传感器与热源解耦，并省去了笨重的磁芯。不同于电流流经 IC 封装的集成式传感器，无磁芯传感器被放置在靠近外部母排的位置，使导体本身能够充当传导损耗的大型散热器。无磁芯架构中完全省去了铁磁集中器，可大幅降低系统总体积，并使微型表面贴装技术（SMT）封装能够在不受磁芯饱和限制或热瓶颈影响的情况下测量数千安培电流。

无磁芯方案虽然可提供最高功率密度，并消除磁饱和和磁滞等磁芯相关问题，但也舍弃了集中器针对外部磁干扰所提供的内置物理保护。其主要缺点是容易受外部杂散场影响：由于没有铁磁磁芯作为屏蔽，无磁芯传感器必须依靠差分传感技术抵消附近电机或母排产生的磁噪声。为确保在高电磁干扰（EMI）环境中的信号完整性，布局和 PCB 方向设计在开发阶段显得尤为重要。该方法省去了磁芯的成本、尺寸和重量，从而实现比有磁芯方案更小、更轻的高电流检测解决方案。无磁芯电流传感器提供了一种电气隔离、非接触的电流测量方法：它通过感应导体周围产生的磁场来进行测量，为高功率系统提供了一种非侵入式、无损耗的测量方案。

下表汇总了 Allegro 提供的部分无磁芯解决方案。

有磁芯电流传感器	典型电流范围 [A]	检测范围 [mV/G]	带宽 [kHz]	封装
ACS37610	100 至 4000+	5 至 15	250	8 引脚 TSSOP（后缀 LU）
ACS37611	100 至 4000+	5 至 15	250	8 引脚 TSSOP（后缀 LU）
ACS37612	200 至 1000+	2.5 至 20	240	8 引脚 TSSOP（后缀 LU）

功率密度/热管理

功率密度是指器件在单位体积或占板面积内能够处理的功率，在电流传感器选型中已成为日益重要的考量因素。在现代电子设计中，市场越来越需要体积更小、效率更高，同时能够提供高性能且不过度发热的组件。高功率密度不仅关乎功率处理能力，也关乎散热效率。电流传感器中的高功率密度会影响系统设计和运行的多个关键方面；更高功率密度表明传感器能够在更小封装内处理并耗散更多功率，这对于空间受限的应用尤为宝贵。

功率密度为何如此重要？

功率密度是现代功率电子设计中的决定性因素。随着系统向 SiC 和 GaN 等宽禁带（WBG）半导体过渡，在极小空间内管理高功率的能力已成为性能的关键。

如前所述，功率密度管理是集成式电流传感器的主要考量因素。功率密度受限于内部一次导体电阻（通常为 I_PR）以及封装向 PCB 散热的能力。由于电流直接流经 IC，电阻耗散会使 I²R 损耗直接发生在器件内部。为尽量减少发热并保持高功率密度，Allegro 使用超低电阻引线框架（低至 100μΩ）和高导电率铜材。了解自发热非常关键，因为它直接影响电流传感器的精度和可靠性。当电流通过集成式传感器的电阻路径时，产生的热量会升高硅芯片内部结温；若散热管理不当，可能发生热漂移，导致传感器失调和灵敏度偏离出厂校准值，从而导致测量误差。此外，过度自发热还可能使器件超出安全工作区（SOA），进而可能永久损坏产品或缩短产品寿命。

尺寸缩小和占板面积优化

更高的功率密度有助于减小芯片和整个系统的物理体积。在空间非常宝贵的汽车应用中，功率密度提升可实现更小的 PCB 和更紧凑的终端产品，从而在不牺牲功率处理能力的前提下更高效地利用空间。

材料减量带来的成本效益

提高高电流路径的功率密度可直接降低总物料清单（BOM）成本。通过在每平方毫米 PCB 上处理更多电流，设计人员可以使用更小外壳，并减少电路板总体面积。这种材料减量（更小 BOM 和更小整体占板面积）可降低基板、材料和保护灌封胶成本，这对于大批量生产至关重要。

系统集成和热隔离

传感器越来越多地被放置在拥挤环境中，与微控制器和功率级相邻。高功率密度使传感器能够适配紧凑的占板面积并保持热隔离。采用低电阻引线框架的传感器可最大限度降低 I²R 损耗。

寄生电感和开关效率

高功率密度布局自然会缩短元器件之间的物理距离。在采用 SiC 或 GaN 的高速开关环境中，这种距离缩短对于降低 PCB 走线和母排的寄生电感至关重要。最小化的环路电感对降低高 dI/dt 事件期间的电压振铃和过冲至关重要。这使系统能够以更高频率、更低开关损耗运行，从而提升整体转换器效率并保护传感器免受 EMI 影响。

采用外部集中器的有磁芯方案的功率密度

有磁芯传感器利用铁磁磁芯来集中电流产生的磁场。传感器本身在物理和热方面均与高电流路径隔离。由于电路的传感部分不会因一次电流而发热，因此可在系统层面实现极高功率密度。虽然传感器本身可能不具备高功率密度，但导体的设计会显著影响整体系统功率密度。较小导体会提高功率密度，较大导体则会降低功率密度。尽管传感器本身并不直接耗散大量功率，但导体可能产生显著热量，尤其是在高电流条件下。因此，必须对导体进行适当热管理。虽然传感器是安全的，但在高频下，磁芯可能因涡流损耗而成为热源。磁芯材料在高电流下可能发生饱和，导致非线性失真和精度下降。因此，必须谨慎选择磁芯材料和尺寸，以避免饱和和发热。

无磁芯解决方案与非接触式方案的功率密度

与有磁芯方案或集成导体电流传感器方案这类物理连接不同，无磁芯传感器无需集中器即可直接从 PCB 走线或母排测量磁场。这种架构可实现尽可能高的功率密度。由于不存在物理接触，也没有磁芯饱和或发热的问题，一次电流仅受母排或 PCB 走线物理尺寸限制。

无磁芯传感器采用非接触式设计，这意味着高压/高电流路径与低压传感器之间存在受控气隙或介电层，从而提供电气隔离和热隔离。由于传感器无磁芯，它容易受到外部杂散场影响。Allegro 采用差分霍尔元件来抑制共模场。这种方法可确保高功率密度布局（元件紧密排列）不会引起测量干扰。

下表汇总了各类 Allegro 电流检测解决方案的发热和功率密度表现。

特性	集成式	有磁芯	无磁芯
典型电流范围	2A 至 400A	20A 至 1000+A	100A 至 4000+A
检测方法	电流流经传感器；一体化解决方案；但热瓶颈最为明显	电流从导体附近流过，磁场由实体磁芯“捕获”并“整形”；精度高，但体积较大	传感器置于导体上方或附近；无物理接触；无需笨重磁芯；是适用于高电流的最高功率密度、最轻量化解决方案
主要优势	占板面积最小；出厂时校准，易于使用	精度高；通过磁芯天然屏蔽外部磁场	无损耗；超高电流应用成本最低；不会发生磁/磁芯饱和
主要劣势	受封装内 I²R 损耗导致的热限制	体积大、重量高、成本高，且易受磁芯饱和/磁带影响	对机械对准、PCB/母排设计以及外部杂散场敏感
隔离类型	固有电气隔离；隔离等级取决于封装	高电气隔离；由磁芯和导体间距决定	固有隔离（非接触）；取决于导体的气隙/绝缘情况
带宽	高：100kHz 至 1MHz（TMR 最高可达 5MHz）	低至中等：受磁芯中涡流损耗限制	高：受传感器限制
精度/漂移	高（出厂编程）	高（必须考虑磁芯热漂移和磁滞）	取决于系统（通过系统级校准获得最佳结果）
功率耗散	最高：电流流经内部引线框架	可忽略：传感器 IC 隔离；磁芯损耗极小	可忽略：IC 功耗极低；电流保留在母排或 PCB 中

上下滑动，查看更多

PCB 布局最佳实践

在高性能功率电子设计中，PCB 布局是重要的考量因素。为确保电流检测解决方案的精度、安全性和长期可靠性，必须遵循 PCB 布局最佳实践。由于电流传感器依赖精准的磁场测量，即使是轻微布局偏差也可能导致测量误差或热失效。遵循成熟设计指南可最大限度降低寄生电阻和电感，最大化功率密度，并确保传感器在其校准的热限值内运行。此外，始终需要在应用中进行台架测量，以验证最终系统是否满足热设计要求。

集成式电流传感器布局最佳实践

对于集成式电流传感器解决方案，PCB 是内部引线框架以热形式耗散功率的主要散热器。铜走线的横截面积是降低系统热阻的最重要因素。因此，为有效管理这些损耗，设计人员应优先使用可行范围内最厚的铜（通常为 2oz 至 4oz）来增加铜体积。此外，必须在高电流引脚和散热焊盘正下方布置热过孔阵列；这些过孔将顶层焊盘连接到内部和底层铜平面，将热量从传感器结点扩散出去。走线宽度的合理匹配同样关键。为防止热瓶颈显著增加局部温升，输入和输出走线至少应与传感器高电流引脚一样宽。最后，将焊盘尺寸扩展到超出绝缘穿刺连接器（IPC）的最低要求，可提供更大焊盘，从而增加可用于对流和传导冷却的表面积。

有磁芯传感器布局最佳实践

在有磁芯设计中，传感器通常与高电流路径隔离，但布局仍需优先考虑机械和磁稳定性。在运行期间，即使传感器是非接触式的，母排也会产生热量。因此，必须合理设计母排尺寸，以限制传感器位置处的温升，从而防止磁灵敏度发生热漂移。此外，布局必须确保传感器完美居中于集中器气隙内。使用刚性安装或高玻璃化转变温度的 PCB 材料，有助于防止电路板因高温发生翘曲或偏移，从而避免测量误差。最后，必须在磁芯周围保持磁性禁布区。为防止磁干扰和饱和，不应将高电流走线或其他铁磁材料（如钢螺钉或元件）放置在磁芯附近。

无磁芯解决方案布局最佳实践

由于没有集中器屏蔽外部磁场，无磁芯传感器对布局几何结构高度敏感。为最大化共模场抑制能力，高电流走线应相对于传感器差分霍尔元件对称布线。这样可确保外部磁场对两个霍尔板产生相同影响，并由传感器内部逻辑相减抵消。此外，为减轻杂散场影响，传感器应尽可能远离其他高电流走线，并应调整方向，使其敏感轴与磁场干扰正交。集成式传感器的内部隔离由封装定义；无磁芯/有磁芯传感器的隔离则由 PCB/母排设计决定。

结语

选择合适的电流传感器架构是一项关键设计步骤，需要平衡性能、尺寸、成本和热约束。如本文所述，系统电流的幅值是驱动这一选择的首要因素。对于典型电流低于 200A 的应用，集成式电流传感器以紧凑、完全校准、易于集成的封装提供了极具吸引力的解决方案。集成式电流传感器的主要设计考量是热管理：为保持精度和可靠性，设计必须确保集成导体固有的 I²R 损耗能够通过 PCB 有效散出。

当电流超过集成式方案的实际限制时，无磁芯和有磁芯架构提供了可靠的非接触式替代方案。无磁芯传感器具有出色的灵活性和高等级电气隔离，非常适合已通过母排或 PCB 走线承载高电流的设计。对于要求极高精度和抗外部杂散磁场能力的应用，采用磁通集中器的有磁芯传感器是更优选择。归根结底，架构选择并不只是电流测量问题，更是对功率和热量物理现实的管理。通过使用与具体应用中电流水平正确匹配的传感器架构，并实施可靠的热设计实践，工程师可以为高性能功率系统奠定坚实的基础。

要点总结

电流决定架构：集成式、无磁芯或有磁芯架构的选择，主要由连续电流大小及由此产生的系统热限制所决定。