CoolMOS™ CFD7 SJ高压超结MOSFET 650V系列
来源：Infineon(英飞凌)
发布时间：2026-06-22
新品
CoolMOS™ CFD7 SJ 高压超结
MOSFET 650V系列
650V CoolMOS™ CFD7是英飞凌最新高压超结MOSFET技术，集成快速体二极管，完善了CoolMOS™ 7系列产品，CoolMOS™ CFD7具备更低的栅极电荷(QG)、优化的关断特性，其反向恢复电荷(QRR)较竞品最多可降低69%，并拥有业界最低的反向恢复时间(trr)，底部散热封装最大程度降低导通损耗，实现器件的标准化散热与安装。
产品描述：
■ IPQC65R040CFD7
■ IPQC65R017CFD7
产品特性
超快体二极管
650V击穿电压
业界领先的导通电阻RDS(on)
降低开关损耗
低温漂导通电阻特性
应用价值
优异的硬换流鲁棒性
为更高母线电压设计提供额外安全裕度
赋能高功率密度解决方案
工业开关电源SMPS中卓越的轻载效率
竞争优势
更优性价比
业界最快的开关速度赋能更高开关频率，实现变流器功率密度突破
应用领域
专为ZVS移相全桥架构优化
服务器LLC谐振变换器应用
通信电源
电动汽车充电
光伏发电
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