混合碳化硅CoolSiC™ MOSFET 1200V G2（TO-247PLUS 4引脚封装）
来源：Infineon(英飞凌)
发布时间：2026-06-22
新品
混合碳化硅CoolSiC™ MOSFET
1200V G2（TO-247PLUS 4引脚封装）
CoolSiC™ MOSFET 1200V G2混合碳化硅分立器件，采用 TO-247 4引脚封装，融合了第二代MOSFET技术搭配一颗用于软开关的1200V、发射极控制型第7代 （EC7）硅二极管，专为太阳能最大功率点跟踪（MPPT）级设计，英飞凌创新式解决方案为紧凑、可靠且高性价比的系统提供更优异的性能。
产品型号：
■ IMY120R036CM2H
■ IMY120R036AM2H
■ IMY120R018CM2H
产品框图
产品特性
VGS = 18 V, Tvj = 25°C 条件下，导通电阻 RDS(on) = 18mΩ 和 36 mΩ
反向极性保护二极管
Tc = 100°C 时，二极IF = 50A和75A
极低的开关损耗
基准栅极阈值电压 4.2V
可靠的抗寄生导通能力
应用价值
通用封装，可从IGBT或SiC MOS无缝切换
更优的能效
优化的性能表现
易于使用
竞争优势
高度可靠性
更高功率密度
集成反向极性保护二极管
应用领域
组串式逆变器
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