CoolSiC™ 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL™ 1200V-感算商城

CoolSiC™ 碳化硅MOSFET M1H EasyDUAL™ 1200V

来源：Infineon(英飞凌)

发布时间：2026-02-11

新品

CoolSiC™ 碳化硅MOSFET M1H

EasyDUAL™ 1200V

EasyDUAL™ 2B CoolSiC™ MOSFET半桥模块通过AQG324认证，采用PressFIT引脚和预涂导热界面材料，集成NTC温度传感器，具有1200V耐压和4mΩ导通电阻，专为电动汽车电驱动系统与电动航空生态系统中的功率转换应用而设计。

产品型号：

■ FF4MR12W2M1HP_B11_A

产品特性

12mm超薄封装，树立行业新标杆

业界领先的宽禁带半导体材料

CoolSiC™技术，支持超高开关频率

导通电阻与失效率均达到业界最低水平

TIM预涂高性能导热界面材料

可选PressFIT引脚与焊接引脚版本

应用价值

无基板设计，实现结构紧凑与轻量化

显著减小系统尺寸与重量

高可靠性封装设计，适用于严苛工况下的多样化应用

提升功率密度与运行效率

缩短开发周期，降低研发成本

通过AQG324认证，全面支持汽车级标准

竞争优势

全面掌控前端与后端制造流程，加速设计导入，缩短开发周期

CoolSiC™ M1H技术通过AQG324认证，助力轻松实现轻量化、紧凑化的系统设计

应用领域

电动汽车（EV）电驱动系统与车载充电机（OBC）

电动汽车充电EVC

不间断电源UPS

服务器电源供应单元

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