瑞萨电子推出行业首创第六代DDR5寄存时钟驱动器,以9600MT/s的传输速率树立AI服务器性能新标杆

来源:Renesas(瑞萨电子)

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发布时间:2025-11-17

全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(TSE:6723)今日宣布推出业界首款面向DDR5寄存双列直插式内存模块(RDIMM)的第六代(Gen6)寄存时钟驱动器(RCD)。这款全新RCD率先实现了9600兆传输/秒(MT/s)的数据速率,超越当前行业标准。与瑞萨第五代(Gen5)RCD 8800MT/s的性能相比,本次突破实现了大幅提升,为数据中心服务器的内存接口性能树立了全新标杆。










瑞萨第六代DDR5 RCD的关键特性








  • 带宽较瑞萨第五代RCD提升10%(9600MT/s vs 8800MT/s)

  • 向后兼容第五代平台:提供无缝升级路径

  • 增强信号完整性与能效:支持AI、HPC,及LLM工作负载

  • 扩展的决策反馈均衡架构:提供八个Taps和1.5mV精度的电压调整,实现卓越的裕量调谐

  • 决策引擎信号遥测与裕量调节(DESTM):改进系统级诊断功能可提供实时信号质量指示、裕量可视化以及诊断反馈,以支持更高速度运行


新型DDR5 RDIMM旨在满足人工智能(AI)、高性能计算(HPC),及其它数据中心应用对带宽日益增长的需求。瑞萨在新型RDIMM的设计、开发与部署过程中发挥关键作用,协同包括CPU和内存供应商等在内的行业领军企业,及终端客户开展了深度合作。凭借在信号完整性与功耗优化领域的深厚积淀,瑞萨已位于DDR5 RCD领域的前沿。



Sameer Kuppahalli, Vice President of Memory Interface Division at Renesas表示:“生成式AI的爆发式增长推动了系统芯片核心数量的激增,进而将内存带宽与容量的需求推向前所未有的高度,成为数据中心性能的关键驱动力。第六代DDR5寄存时钟驱动器充分彰显出瑞萨致力于内存接口创新、开拓前沿技术,并提供满足市场需求解决方案的坚定承诺。”


Indong Kim, VP of DRAM Product Planning, Samsung Electronics表示:“三星与瑞萨在多代内存接口组件领域保持着紧密合作,包括成功完成Gen5 DDR5 RCD和PMIC 5030的认证。如今,我们很高兴将Gen6 RCD集成至DDR5 DIMM中,覆盖多个SoC平台,以满足AI、HPC,及其它内存密集型工作负载日益增长的需求。”

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