国产光刻胶突围，日企垄断终松动
来源：电子发烧友
发布时间：2025-07-14
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光刻胶作为芯片制造光刻环节的核心耗材，尤其高端材料长期被日美巨头垄断，国外企业对原料和配方高度保密，我国九成以上光刻胶依赖进口。不过近期，国产光刻胶领域捷报频传——从KrF厚胶量产到ArF浸没式胶验证，从树脂国产化到EUV原料突破，一场静默却浩荡的技术突围战已进入深水区。
例如在248nm波长的KrF光刻胶武汉太紫微的T150A胶以120nm分辨率和93.7%的良率通过中芯国际28nm产线验证，开创了国内半导体光刻制造的新局面。
恒坤新材的KrF胶已覆盖7nm工艺，500吨年产能可满足10万片晶圆需求，其安徽生产基地的扩产，标志着国产替代从实验室走向规模化量产的质变。
徐州博康攻克14nm湿法光刻胶技术，具备干法ArF及湿法ArF光刻胶技术能力，其干法ArF可应用于90nm/65nm/55nm节点，湿法ArF可应用于40nm/28nm节点，并积极开发14nm及以下工艺节点的湿法ArF光刻胶材料。
而在更艰难的193nm ArF光刻胶领域，南大光电成为破局者。其干式ArF胶缺陷率控制在0.01个/cm²，浸没式胶完成配方定型，良率从初期不足40%提升至60%。尽管与国际85%的良率仍有差距，但这一突破已使国产ArF胶在长江存储、中芯国际等产线实现30%的国产化渗透。
彤程新材导入多款高分辨KrF、ArF光刻胶等产品在客户端验证并陆续通过认证，其ArF光刻胶已开始销售，还实现光刻胶溶剂自产。
光刻胶的自主绝非单点突破。其成本50%集中于树脂，而八亿时空的百吨级量产产线将树脂纯度提至99.999%，金属杂质低于1ppb，直接拉低国产胶成本20%。
而上游溶剂环节，怡达股份的电子级PM溶剂全球市占超40%，打破日本关东化学垄断，与南大光电合作开发的配套试剂，让光刻胶从单一产品升级为系统解决方案。
当然，需要看到的是仍落后国际15年以上，目前久日新材攻克 EUV 光刻胶核心原料光致产酸剂技术，打破日本 20 年垄断，为光刻胶性能提升奠定基础，但但匹配ASML设备的工艺调试因设备禁运举步维艰。
ArFi浸没式胶的良率波动，迫使晶圆厂承担单次验证超千万元的成本，客户认证周期长达18-24个月。同时高端树脂30%依赖日本进口的现状，提示着供应链安全仍然高悬在顶。
在全球光刻胶市场中，日美企业的垄断地位依然稳固，日本的JSR、东京应化、信越化学及富士胶片四家企业占据全球70%以上的市场份额。
但国产光刻胶的发展前景依然广阔。随着 5G、人工智能、物联网等新兴技术的快速发展，对半导体芯片的需求持续增长，将带动光刻胶市场规模进一步扩大。
小结
国内企业在技术创新、产能扩充的基础上，凭借成本优势与本土化服务优势，有望进一步提升市场份额，在全球光刻胶市场中占据更重要的地位，推动我国半导体产业朝着自主可控、高质量发展的方向不断迈进 。
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