超低导通内阻 MOSFET ：实现智能手机与可穿戴产品快速充电的最佳方案。
来源：新唐(Nuvoton)
发布时间：2026-09-08
新產品！超低導通内阻 MOSFET
产品型号
KFCAB12084NL (2.2mΩ)
KFCAB12088NL (1.6mΩ)
KFCAB12087NL (0.9mΩ)
实现在快速充电时的低发热
超低导通内阻 MOSFET 是实现智能手机与可穿戴产品快速充电的最佳方案。
技术创新：同时改善发热和提高充电效率
使用传统的 MOSFET 设计在高功率输出时，因发热问题影响充电速度和存在安全性的隐患。
本次介绍的超低导通内阻产品，在快速充电时能有效抑制温度上升，并实现更短的充电时间！
三大主要优势
超低导通内阻
采用独家低内阻制程
抑制温度上升
提升安全性、延长整机寿命
缩短充电时间
透过提升可容许电流，缩短充电时间
主要应用
-
智能手机 智能手表
TWS
AR/VR 等
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