车规级光伏 MOSFET 驱动器，提升高压系统可靠性并降低成本-感算商城

车规级光伏 MOSFET 驱动器，提升高压系统可靠性并降低成本

来源：Vishay Sfernice(威世)

发布时间：2026-06-03

VODA1275

器件开路电压为 20 V、短路电流 20 μA、导通时间 80 μs，采用 SMD-4 封装，模塑材料 CTI 达 600，爬电距离 8 mm

Vishay 宣布，推出一款首度采用紧凑型 SMD-4 封装的全新车规级光伏 MOSFET 驱动器，爬电距离为 8 mm，模塑材料相对漏电起痕指数（CTI）达 600。Vishay Semiconductors VODA1275 专门用来提升高压车载应用的安全性和可靠性，同时简化设计并降低成本，器件导通时间、开路电压和短路电流均达到业内先进水平。

日前发布的增强型隔离器件典型开路电压为 20 V、短路电流 20 μA，导通时间 80 μs，比竞品器件快三倍。这些特性有助于更快、更可靠地驱动高压系统 MOSFET 和 IGBT。此外，器件工作隔离电压和隔离测试电压分别达到 1260 V_peak和 5300 V_RMS，是 800 V+ 电池系统的理想选择。

VODA1275 通过 AEC-Q102 认证，适用于预充电电路、壁挂式充电器，以及电动（EV）和混合动力（HEV）汽车电池管理系统（BMS）。以往为了生成这些应用所需的较高电压，设计师需串联两个 MOSFET 驱动器，利用器件的高开路输出电压，仅需一个驱动器即可满足这种要求，从而节省空间并降低成本。此外，采用这种新型驱动器开发下一代汽车，可用定制固态继电器取代传统机电式继电器。

光隔离式 VODA1275 驱动内部电路所需的全部电流取自隔离栅低压侧红外发射器。这种结构不需要外部电源，因此简化设计并降低成本。MOSFET 驱动器符合 RoHS 和 Vishay 绿色标准，无卤素。