夏罗登SCHALOD气体质量流量控制器(MFC)在晶圆清洗中的关键应用

来源:Schalod 夏罗登

作者:-

发布时间:2025-09-22

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MFC

气体质量流量控制器

       

气体质量流量控制器(MFC)在晶圆清洗中的关键应用与突破案例。


01

MFC如何护航晶圆清洗全流程



1

化学液冲洗阶段:腐蚀性气体的精准配比

夏罗登方案挑战:在SC1(氨水+双氧水)清洗时,需通入氮气作为保护气体,若流量波动>1%会导致氧化层厚度不均。


夏罗登方案:

采用耐腐蚀型MFC(钽金属流道+PTFE密封),耐受HF、H2O2等强腐蚀介质。

动态配比技术:根据pH传感器反馈实时调节氮气/氧气比例(某客户实测配比误差<0.5%)

2

去离子水漂洗阶段:超纯气体防污染控制

痛点:漂洗时水中溶解氧需控制在10ppb以下,传统MFC因密封性不足易引入杂质。

创新实践:

全不锈钢流道+激光焊接工艺,氦气检漏率<1×10⁻⁹ Pa·m³/s

案例:某12英寸晶圆厂更换夏罗登MFC后,水痕缺陷率下降37%


3

旋转干燥阶段:瞬态大流量精准控制

行业难题:晶圆高速旋转时,氮气流量需在0.5秒内从5SLM陡增至50SLM(10倍动态范围)。

技术突破:

高速电磁阀+前馈控制算法,阶跃响应时间<300ms(进口设备约500ms)

客户数据:干燥时间缩短15%,碎片率降低至0.02片/万片





02

替代进口的"硬核"表现



某存储芯片大厂——攻克IPA蒸汽干燥工艺


原痛点

使用某日系MFC时,异丙醇(IPA)蒸汽流量波动导致晶圆表面出现"咖啡环"残留。



解决方案

定制带蒸汽加热功能的MFC(80℃恒温控制),避免IPA冷凝

多参数耦合控制:根据腔室压力、温度自动补偿流量



成效

残留物检测值从>200μg/cm²降至<50μg/cm²

年节省IPA消耗费用约280万元



03

第三代半导体企业——SiC晶圆的特殊需求




特殊挑战

SiC晶圆清洗需用NF3等离子体,传统MFC阀座材料易被氟自由基腐蚀。


创新设计

集成等离子体密度反馈控制,实现NF3流量与RF功率的协同调节。



成果

设备MTBF(平均无故障时间)从4000小时提升至8000小时

单片清洗成本降低22%


在晶圆清洗这个以"纳米级洁净"为要求的领域,夏罗登工业科技已实现从单一流量控制到"工艺+智能硬件+绿色制造"的全链条创新。当国产MFC开始主导国内头部晶圆厂的关键工艺段,这不仅是设备的替代,更是技术话语权的重构。

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