双脉冲测试平台
来源:感算
作者:感算
发布时间:2023-10-7
阅读量:72
双脉冲测试是表征功率半导体器件动态特性的重要手段,适用于各类功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同时,这项测试发生在器件研发、器件生产、系统应用等各个环节,测试结果有力地保证了器件的特性和质量、功率变换器的指标和安全,可以说是伴随了功率器件生命的关键时刻。
随着先进功率器件的问世以及功率变换器设计愈发精细,器件研发工程师和电源工程师都越来越关注双脉冲测试,工欲善其事,必先利其器,拥有一套双脉冲测试平台是获得正确评估结果的第一步。本文将分享给大家晶源健三双脉冲平台的总体方案。
1、晶源健三-双脉冲测试平台-场景展示图
2、晶源健三-双脉冲测试平台-实物清单:
3、晶源健三-双脉冲测试平台-三大特色:
3.1. 简易的双脉冲测试控制界面
·与NXP界面相对比:界面简单、易用、明了
·三模式选择:PWM模式,双脉冲模式 ,短路模式
·SPI灵活配置NXP3100/3160芯片寄存器
3.2. 低延时的双脉冲发波装置
控制板采用CPLD芯片硬件发波延迟小;
3.3.灵活多用途的Hitachi Energy 半桥功率模组
·采用低杂感设计的高压DClink电容(含输入滤波模块)
·水道散热器底座
·(580,780,980)SiC模块
·SiC模块驱动板(三合一)
·可配置175度加热台进行高温双脉冲测试
4、晶源健三-双脉冲测试-流程图:
5、晶源健三-双脉冲测试项目-满足您所有技术上的想象力
晶源健三实现搭建双脉冲测试平台—功率器件动态参数测试系统,专门用于针对第三代半导体功率器件的动态特性分析测试,解决客户在功率器件动态特性表征中常见的疑难问题,如:
(1) 对比不同产品的参数;
(2) 评估驱动电路的功能和性能;
(3) 获取 SiC MOSFET 在开通和关断过程中的主要参数,以评估栅极驱动取值是否合适;
(4) 开通和关断过程是否有不合适的振荡;
(5) 评估二极管的反向恢复特性和安全裕量;
(6) 测试 SiC MOSFET 的电压尖峰;
(7) 评估 SiC MOSFET 并联均流特性;
(8) 测量系统的杂散电感;
(9) 测量高温条件下,高温对SiC MOSFET的影响,以评估合适的栅极驱动参数
6、 欢迎您来电咨询
该系统在晶源健三实验室,现已经开放免费测试名额,将由测试专家提供现场技术指导,为您解决SiC模块的静态及动态参数、在应用级别的准确测试与评价难题。如果你想评估第三代半导体器件性能,如果你想验证所选功率器件是不是符合您的产品设计要求,那就来预约晶源健三先进半导体开放实验室吧!专家指导,精确评估,让您使用无忧!
如您有任何测试需求或疑问,请联系感算客服或致电客服电话:400-860-3536,谢谢!
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