行业领先的100V PowerDI®8080-5封装 MOSFET，低 RDS（ON）助力实现48V汽车系统的高效率设计-感算商城

行业领先的100V PowerDI®8080-5封装 MOSFET，低 RDS（ON）助力实现48V汽车系统的高效率设计

来源：Diodes Incorporated(达尔)

发布时间：2026-06-18

Diodes公司（Diodes）（Nasdaq：DIOD）推出行业领先的超低RDS（ON）100V MOSFET，扩充其PowerDI8080-5 汽车级^*N沟道MOSFET产品组合。与新型40V至80V MOSFET一同推出，所有8mm x 8mm海鸥翼引线器件均设计用于最大限度降低导通损耗、减少热量产生，并提升整体效率。其应用涵盖电池电动汽车（BEV）、混合动力汽车（HEV）及内燃机（ICE）平台中的无刷直流（BLDC）和直流-直流（DC-DC）转换系统。

工程师可利用100V额定电压DMTH10H1M7SPGWQ，最大1.5mΩ的RDS（ON），用于48V无刷直流（BLDC）电机驱动应用，例如动力转向与制动系统。其他高功率应用包括电池断开开关和车载充电器（OBC）。设计人员还可以选择额定电压为80V的DMTH81M2SPGWQ。

40V 额定DMTH4M40SPGWQ最大RDS（ON）为0.4mΩ，处于行业领先水平，适用于12V无刷直流（BLDC）电机及直流-直流（DC-DC）应用。40V额定逻辑型MOSFET DMTH4M40LPGWQ在栅源电压（VGS）为4.5V时可提供低至0.64mΩ的RDS（ON），适用于低电压、微控制器驱动汽车应用，如执行器/风扇控制及负载开关，且不牺牲导通状态损耗。60V额定DMTH6M70SPGWQ为24V应用提供高性能表现。

PowerDI8080-5封装的PCB占板面积仅64mm²，约为传统TO-263（D2PAK）封装面积的40%，且封装高度仅为1.7mm，使其非常适合小占板面积应用。此外，铜夹片芯片键合技术可将热阻（R_thJC）降至最低0.3°C/W，使漏极电流可达847A且无损坏风险。海鸥翼引线结构促进自动光学检测（AOI），并提升温度循环可靠性，支持稳健的汽车制造工艺。