SOT-227 封装 650 V 和 1200 V SiC 肖特基二极管，提升高频应用效率
来源：Vishay
发布时间：2025-05-27
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新型碳化硅（SiC）肖特基二极管
40 A 至 240 A 双二极管和单相桥式器件正向压降低至 1.36 V，QC 仅为 56 nC
威世科技宣布，推出 16 款采用工业标准 SOT-227 封装的新型 650 V 和 1200 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。这些 Vishay 半导体器件旨在为高频应用提供高速和高效率，在同类二极管中，它们在电容电荷（Qc）和正向压降之间实现了出色的平衡。
日前发布的二极管包括 40 A 至 240 A 的并联双二极管组件，以及 50 A 至 90 A 单相桥器件。这些二极管基于先进的薄晶圆技术制造，正向压降低至 1.36 V，显著减小导通损耗，提高能效。此外，与硅基二极管相比，这些器件具有更好的反向恢复参数，几乎没有恢复尾电流。
这些器件的典型应用包括 AC/DC 功率因数校正（PFC），以及用于光伏系统、充电站、工业不间断电源（UPS）和电信电源的反激式（FBPS）和LLC转换器中的 DC/DC 超高频输出整流。在这些应用环境下，二极管 QC 低至 56 nC，可实现高速开关，其采用的行业标准封装可直接替代竞品解决方案。
这些二极管可在高达 +175 °C 高温下工作，并且具有正温度系数便于并联。这些器件通过 UL E78996 认证，其特点是端子之间具有较大的爬电距离，以及简化的机械设计，便于快速组装。
器件规格表
1VR = 400 V
2VR = 800 V
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