Gen 4.5 650V E 系列功率MOSFET具有业界最低的RDS(ON)*Qg 和 RDS(ON)*Co(er) FOMs-感算商城

Gen 4.5 650V E 系列功率MOSFET具有业界最低的RDS(ON)*Qg 和 RDS(ON)*Co(er) FOMs

来源：Vishay

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发布时间：2025-05-27

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SiHK050N65E

超结器件支持高额定功率和高密度，同时能够降低传导和开关损耗，从而提高效率

近日，Vishay 推出新的 Gen 4.5 650 V E 系列功率 MOSFET，为通信、工业和计算应用提供高效率和高功率密度。与上一代器件相比，Vishay Siliconix N 沟道SiHK050N65E 的导通电阻降低了 48.2 %，而电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用）中 650V MOSFET 的重要优值因数（FOM）降低了 65.4 %。

Vishay 多种 MOSFET 技术为电源转换过程的所有阶段提供支持，包括从高压输入到最新高科技设备所需的低压输出。凭借 SiHK050N65E 和 Gen 4.5 650 V E 系列中的其他器件，公司正在满足电力系统架构的两个早期阶段中对改进效率和功率密度的需求，即功率因数校正（PFC）和后续的 DC/DC 转换器模块。典型的应用包括服务器、边缘计算和超级计算机；UPS、高强度放电（HID）灯和荧光灯镇流器；通信开关模式电源（SMPS）；太阳能逆变器；焊接设备；感应加热系统；电动驱动和电池充电器。

SiHK050N65E 基于 Vishay 最新的高能效E系列超结技术，能够在 10 V 下实现典型的低导通电阻为 0.048 Ω，适合超过 6 kW 的高功率应用。同时，650 V 器件的击穿电压达到额外的 50 V，使其可以在 200 VAC 至 277 VAC 的输入电压范围内稳定工作，并符合开放计算项目的开放机架 V3（ORV3）标准。此外，MOSFET的超低栅极电荷仅为 78 nC，提供了优越的 FOM 值 3.74 Ω*nC，这对减少导通和开关损耗至关重要，从而进一步节省能源并提升效率。这使得器件能够满足服务器电源中特定的钛效率要求，或者达到 96 % 的峰值效率。

为了在硬开关拓扑（如 PFC 电路和双开关前馈设计）中优化开关性能，日前发布的 MOSFET 具备较低的有效输出电容值，C_o(er)为 167 pF，C_o(tr)为 1119 pF。器件在电阻乘以 C_o(er)的 FOM 上达到业界新低的 8.0 Ω*pF。SiHK050N65E 以 PowerPAK^®10 x 12 封装形式提供，并配备 Kelvin 连接以降低栅极噪声，同时提高 dv/dt 的抗扰性。MOSFET 符合 RoHS 标准而且无卤素，经过特别设计以承受雪崩模式下的过压瞬态，100 % 的 UIS 测试保证了其极限值。