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Impress共封装铜缆解决方案，扩展Near ASIC连接创新以满足下一代数据传输率需求
Molex莫仕推出Impress共封装铜缆解决方案，这是一种压缩式基板上连接器和对配电缆组件，可在224Gbps PAM-4及更高传输速率下提供Near ASIC连接。其紧凑、耐用的插座可简化维护，并实现面向未来的高密度AI和超大规模数据中心架构。
Molex(莫仕)
AI机器人, 人工智能AI, AI计算机视觉, AI医疗, AI教育与个性化学习, AI服务器, 工业智能, 工业仪器仪表, 工业自动化
应用方案
2026.08.03
SIC module driver board-V1.0 碳化硅模块驱动电路板产品说明书
晶源健三
SIC, SIC模块, JYJS_HPDLPS_DRIVER_V1.0, 碳化硅模块
数据手册
2025.06.09
采用顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 产品扩展
第二代CoolSiC™ 1200V MOSFET，采用顶部散热Q-DPAK封装，提供4mΩ和5mΩ两种导通电阻规格，广泛适用于的工业应用，包括电动汽车充电、光伏逆变器、不间断电源、固态断路器、工业驱动、人工智能以及商用电动车等。 Q-DPAK封装凭借其卓越的热性能简化了组装流程，降低系统成本。与底部散热方案相比，顶部散热器件支持更优化的PCB布局，有助于降低寄生参数和杂散电感的影响，同时提供更优的热管理能力。
Infineon(英飞凌)
电动车, 人工智能AI, 汽车电子, 充电桩, 工业自动化, 工业智能, 工业物联网(IIOT)
新品介绍
2026.06.23
英飞凌第二代SiC MOSFET性能解析及设计要点
在新能源革命与工业数字化的浪潮中，功率半导体作为核心“能量管家”，直接决定着电力转换系统的效率、密度与可靠性。英飞凌作为全球功率器件的领军者，凭借其深耕碳化硅（SiC）领域的技术积淀，推出了CoolSiC™ MOSFET G2系列产品，以全方位的性能突破，重新定义了SiC MOSFET的行业标准，为光伏、储能、电动汽车充电等关键领域注入强劲动力。
Infineon(英飞凌)
电力/新能源, 新能源, 工业自动化, 工业智能, 汽车电子, 光伏逆变器, 光伏/光热, 储能, 储能BMS
技术分享
2026.06.23
英飞凌XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ 碳化硅MOSFET
为顺应可再生能源领域中1500V直流母线应用日益增长的趋势，英飞凌推出XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ MOSFET产品扩充。该系列产品电流规格丰富，最高可达2000A，并提供4kV或6kV的隔离电压等级，非常适用于高功率应用。结合可靠耐用的.XT扩散焊技术，该产品在使用寿命和可靠性方面均达到同类最佳水平，为高可靠性应用提供了坚实的保障。
Infineon(英飞凌)
氢能, 电力/新能源, 新能源, 风电, 光伏/光热, 光伏逆变器, 电池, 储能电池包
新品介绍
2026.06.23
SiC MOSFET 短路行为解析与英飞凌保护方案探讨
通过实验测试来研究如何运用驱动芯片的退饱和功能（DESAT）来做桥臂直通保护。具体来说，我们将探讨哪些因素会影响保护响应时间，以及如何优化短路关断过程中的过压问题。值得注意的是，我们的所有测试，都是基于Ⅰ类短路工况，关断动作都是由驱动芯片1ED3330MC12M本身触发的，而不是受驱动信号脉宽的限制。
Infineon(英飞凌)
电机驱动, LED 驱动
技术分享
2026.06.23
如何评估SiC MOSFET栅氧化层的使用寿命
马拉松应力测试的核心逻辑，就是在尽可能贴近器件实际工作的条件下，对大量器件进行长时间的并行应力测试，以此捕捉那些即便经过栅压筛选，仍可能在实际应用中极低概率发生的早期栅氧非本征失效。
Infineon(英飞凌)
马拉松
技术分享
2026.06.22
英飞凌深度解析：CoolSiC™ MOSFET 短路能力与失效模式
在碳化硅SiC MOSFET快速普及的今天，短路稳定性一直是行业关注与争议的焦点。很多工程师误以为：SiC MOSFET 天生扛不住短路，是硬缺陷。事实真的如此吗？ 英飞凌基于大量实测与器件机理研究，为大家还原 CoolSiC™ MOSFET 短路特性的真相，帮你在选型与应用中少走弯路。
Infineon(英飞凌)
技术分享
2026.06.22
仅有几十nm厚的栅氧化层，竟是制约SiC MOSFET可靠性的关键因素
在功率半导体器件 MOSFET 中，栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层，核心材质多为二氧化硅（SiO₂），堪称器件的 “电力控制阀门”。它一方面承担着电绝缘的重任，隔离栅极与沟道的电信号，防止电流泄漏；另一方面让外部栅电压精准调控沟道的导电性，实现 MOSFET 的开关与电流控制功能，其质量直接决定了器件的性能稳定性和使用寿命。在碳化硅（SiC）MOSFET 这款新一代功率半导体器件中，平面栅器件栅氧化层厚度最低仅有40nm，沟槽栅器件栅氧化层厚度约70nm，这薄薄的一层氧化层材料在
Infineon(英飞凌)
电力/新能源, 新能源, 光伏逆变器, 光伏/光热, 储能, 储能BMS
技术分享
2026.06.22
从电网到GPU：安森美以SiC与垂直GaN突破AI数据中心能效极限
人工智能 (AI) 正在迅速发展，并渗透到我们日常生活的方方面面，从内容生成到客服聊天机器人皆是如此。与此同时，数据处理量大幅激增，而数据处理很大程度上依赖于强大的计算基础设施。此外，AI 模型在投入使用前，需要在先进的数据中心内完成训练和推理。
onsemi(安森美)
人工智能AI, AI机器人, AI机器学习, AI计算机视觉
应用方案
2026.07.03
狂飙的AI ASIC赛道，国内跑出一个平台玩家
当下，AI ASIC定制赛道正迎来历史性的系统性重估。以Broadcom和Marvell为代表的“全服务芯片定制”巨头，已成为全球AI算力基础设施疯狂扩张中的两大赢家。截至2026年6月底，Broadcom市值已挺进1.7万亿—1.8万亿美元区间，Marvell市值亦飙升至2300亿—2500亿美元的历史高位。AI ASIC的火热也吸引手机芯片巨头联发科的跨界入场，2026年4月，联发科在一季报法说会上将其全年AI ASIC营收预期由先前的10亿美元倍增至20亿美元。
AI机器人, 人工智能AI, AI医疗, AI机器学习, AI计算机视觉
行业动态
2026.07.23
最新消息通知
