IGBT的迭代以及全球45家IGBT单管、模块厂商
自20世纪80年代问世以来,IGBT(绝缘栅双极晶体管)的技术革新正历经七代核心突破,每一代都围绕提升效率、降低损耗、增强可靠性展开,推动电力电子技术向更高性能、更小体积和更低成本演进。
行业动态
全球20家SiC MOSFET厂商
碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料的核心代表,凭借其高耐压、低损耗、耐高温等特性,正在重塑功率半导体行业格局。本篇将从技术起源、演进路径、市场趋势及企业竞争力等维度,带大家了解全球SiC MOSFET产业链近况。并梳理20家厂商,为行业参与者提供决策参考。
汽车电子, 新能源, 电力/新能源, 工业自动化
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非AI芯片需求低迷!日本7座半导体工厂一半未量产
截至4月,日本企业在2023财年和2024财年建造或购买的7家半导体工厂中,只有3家开始量产,这反映出用于人工智能以外应用的芯片需求复苏缓慢。
AI, 人工智能AI
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线性稳压器IC的输入输出电容设计和纹波对策
线性稳压器IC工作时的最小输入电压是从产品规格书“输入输出电压差vs输出电流”图表中读取所用负载电流下的输入输出电压差,并与输出电压相加得出的。下图是从BDxxIC0W系列的产品规格书中摘录的示例。例如,当负载电流(输出电流)IO为0.6A时,输入输出电压差Vdrop约为0.25V,如果所需的输出电压为3.3V,则最小输入电压为3.3V+0.25V=3.55V。图表中的特性值通常为典型值。
线性稳压器
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高功率密度的新型SiC模块,将实现车载充电器小型化!
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。该系列产品非常适用于xEV(电动汽车)车载充电器(以下简称“OBC”)的PFC*1和LLC*2转换器等应用。HSDIP20的产品阵容包括750V耐压的6款机型(BSTxxx1P4K01)和1200V耐压的7款机型(BSTxxx2P4K01)。通过将各种大功率应用的电路中所需的基本电路集成到小型模块封装中,可有效减少客户的设计时间,而且有助于实现OBC等应用中电力变换电路的小型化。
工业设备, 消费电子, HSDIP20, BST91B1P4K01, BST47B1P4K01, BST31B1P4K01, BST91T1P4K01, BST47T1P4K01, BST31T1P4K01, BST70B2P4K01, BST38B2P4K01, BST25B2P4K01, BST70T2P4K01, BST38T2P4K01, BST25T2P4K01, BST70M2P4K01
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支持负电压和高电压(40V/80V)的高精度电流检测放大器
采用TSSOP-B8J封装的“BD1423xFVJ-C”支持+80V的输入电压,适用于48V电源驱动的DC-DC转换器、冗余电源、辅助电池、电动压缩机等高电压环境。根据其增益设置可分为“BD14230FVJ-C”、“BD14231FVJ-C”和“BD14232FVJ-C”三种型号。
电流检测放大器, BD14230FVJ-CE2, BD14231FVJ-CE2, BD14232FVJ-CE2, BD14220G-CTR, BD14221G-CTR, BD14222G-CTR
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实现业界超高光辐射强度的小型表贴型近红外LED
近年来,在VR/AR设备和生物感测设备等领域,对使用了近红外(NIR)的先进感测技术的需求不断增加。由于这些技术用于眼动追踪、虹膜识别、血流量和血氧饱和度测量等应用,因此对精度的要求非常高。另外,应用产品的小型化、低功耗化以及设计灵活性的提升也备受重视。
工业物联网(IIOT), 工业智能, 工业仪器仪表, AR和VR, 光电晶体管, SML-P14RW, SML-P14R3W, CSL0902RT, CSL0902R3T, CSL1002RT
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适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
新产品共3款机型,包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器(HSC)*4电路的“RS7E200BG”(30V),以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH(80V)”和“RS7N160BH(80V)”。
AI服务器, 人工智能AI, RS7E200BG, RS7N160BH, RS7N200BH
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适用于便携式A4打印机的小型热敏打印头
近年来,随着跨境电商的发展,发票、海关标签的打印需求增加,另外医院、药店的处方和药剂服用说明的打印需求也在不断增长。在这种背景下,无需墨水和碳粉而且还节能的热敏打印机重获青睐,其市场不断扩大。特别是物流领域和商业领域,因看重便携式打印机的便携性和易维护性,对这种打印机的需求日益高涨。其中,在以中国为主的亚洲市场,对A4热敏打印机的需求不断增长,对8英寸热敏打印头的需求很大。
KA2008-B07N70A
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650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装
为了实现无碳社会,“提高用电量占全球一大半的电源和电机的效率”已成为全球性的社会问题。功率元器件是提高其效率的关键,SiC(碳化硅)、GaN等新材料有望进一步提高各种电源的效率。ROHM于2023年4月将650V耐压的第1代GaN HEMT投入量产,并于2023年7月将栅极驱动器和650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC投入量产。为了应对大功率应用中的进一步小型、高效率化的市场要求,ROHM采取在以往的DFN8080封装基础上追加的形式来强化650V GaN HEMT
GNP2070TD-Z, GNP2050TD-Z, GNP2025TD-Z
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