在新能源革命与工业数字化的浪潮中，功率半导体作为核心“能量管家”，直接决定着电力转换系统的效率、密度与可靠性。英飞凌作为全球功率器件的领军者，凭借其深耕碳化硅（SiC）领域的技术积淀，推出了CoolSiC™ MOSFET G2系列产品，以全方位的性能突破，重新定义了SiC MOSFET的行业标准，为光伏、储能、电动汽车充电等关键领域注入强劲动力。

技术分享 2026.08.03

两款新型EconoPACK™ 3B模块采用1200V/500A三电平NPC1拓扑结构，一款集成NTC温度传感器和TRENCHSTOP™ IGBT7芯片，一款采用SiC二极管、TRENCHSTOP™ IGBT7芯片和集成NTC温度传感器。

新品介绍 2026.06.23

通过实验测试来研究如何运用驱动芯片的退饱和功能（DESAT）来做桥臂直通保护。具体来说，我们将探讨哪些因素会影响保护响应时间，以及如何优化短路关断过程中的过压问题。值得注意的是，我们的所有测试，都是基于Ⅰ类短路工况，关断动作都是由驱动芯片1ED3330MC12M本身触发的，而不是受驱动信号脉宽的限制。

技术分享 2026.08.03

EasyPACK™ 2B 650V, 35A模块采用TRENCHSTOP™ 5 H5技术，可以用在维也纳整流器中，集成NTC温度传感器，提供焊接式引脚和PressFIT压接式引脚可选，适用于变频驱动与热泵应用。

应用方案 2026.07.06

对于我国的电力电子界来说，固态变压器（SST）并非是一个全新的话题，在轨道交通、电网合环运行、大型超充站项目里都有过试点实践。受限于高成本、功率器件参数选择少、高频变压器散热瓶颈，SST曾经的商业化之路面对的挑战大于机遇。智算中心800V高压直流供电系统概念的普及，和未来智能电网的电力潮流双向流动，让SST的商业价值获得了前所未有的想象力。

技术分享 2026.07.16

在电力系统中，可靠性是SST稳定运行、保障供电连续性的基石，更直接关乎运维成本与整体经济效益。英飞凌新一代1200V CoolSiC™ MOSFET G2凭借创新设计，成为SST高可靠性应用的理想之选：增强型.XT扩散焊技术大幅提升散热效率，使SST在高温工况下稳定运行，显著延长系统寿命、增强可靠性；而沟槽栅设计与严苛生产管控，使栅极开启阈值电压参数分布更集中，保障多器件并联时的高可靠性，同时简化系统设计与控制，为SST市场提供了高可靠、易运维的优质解决方案。

行业动态 2026.07.03

英飞凌采用高爬电距离封装的TO-247 4pin CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 7mΩ分立器件，在第一代技术优势基础上实现显著提升，为更高性价比、高效率、紧凑型、易设计且可靠的系统提供先进解决方案。该器件在硬开关与软开关拓扑中均展现出优异性能，广泛适用于各类AC-DC、DC-DC及DC-AC功率级组合。

新品介绍 2026.07.04

目前应用于储能系统的电芯技术正在快速发展，单体容量从280Ah升级至300+Ah，储能PCS的功率也随之不断提升。IGBT器件作为PCS系统中的核心部件，应用中的设计要点和输出能力的准确评估决定了PCS的性能表现。本文通过实验对比验证了功率器件在应用设计中的关键因素，包括功率回路杂感的布局优化，栅极电阻对于关断电压尖峰的影响和RC吸收电路对于电压应力的抑制效果。另外，针对储能国标对储能系统的稳态，故障穿越及过载能力结合仿真对输出能力进行分析，并对比了SVPWM和DPWM调制算法在有功和无功模式下

技术分享 2026.07.03