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SENSORLESS-BLDC-MOTOR-RD-方案和招标
650V耐压GaN HEMT新增小型、高散热TOLL封装
为了实现无碳社会,“提高用电量占全球一大半的电源和电机的效率”已成为全球性的社会问题。功率元器件是提高其效率的关键,SiC(碳化硅)、GaN等新材料有望进一步提高各种电源的效率。ROHM于2023年4月将650V耐压的第1代GaN HEMT投入量产,并于2023年7月将栅极驱动器和650V耐压GaN HEMT一体化封装的Power Stage IC投入量产。为了应对大功率应用中的进一步小型、高效率化的市场要求,ROHM采取在以往的DFN8080封装基础上追加的形式来强化650V GaN HEMT
Rohm(罗姆)
GNP2070TD-Z, GNP2050TD-Z, GNP2025TD-Z
新品介绍
TLI5012BE1000XUMA1数据手册
TLI5012B E1000是一款基于巨磁阻(GMR)原理的360°角度传感器,用于检测磁场的取向。该传感器通过单片集成的GMR元件测量正弦和余弦角度分量,内部数字处理计算磁场的角度取向。传感器具有自动校准功能,可在宽温度范围内提高角度测量的精度。通信通过双向同步串行通信(SSC)实现,兼容SPI接口。此外,还具有增量接口(IIF),适用于工业和消费应用,如电机控制、风扇和泵等。
Infineon(英飞凌)
BLDC, TLI5012BE1000XUMA1, 位置传感器, 角度位置传感器, 工业, 消费, 电气换向电机, 风扇, 泵
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