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一颗传感器解锁1.2亿像素全景照片：Osmo 360 II让360°画面随意裁切都经得起放大
大疆近日正式发布全新 8K 全景相机 Osmo 360 II。它在大疆方形影像传感器的技术积累之上更进一步，以 1 英寸全景影像[1]结合高性能芯片，成就原生 8K/60fps 超清全景画面，并借助 14.5 级动态范围[1]与 AI 超级夜景 2.0 生动还原明暗光影。产品全新集成主角跟随[1]、NFC 一碰即连与 AI 一键成片等功能，让大场面随心记录、即刻分享；超硬防刮可更换镜片[1]设计搭配 105GB 内置存储，随时安心开拍。在轻巧机身之中，Osmo 360 II 实现了画质、体验与拓
消费电子, 数字图像设备, 图像传输, 工业摄像机
行业动态
2026.08.17
Littelfuse推出用于大电流、高隔离应用的CPC1343G OptoMOS®固态继电器
CPC1343G基于Littelfuse OptoMOS技术，结合了900mA连续负载电流、60V阻断电压和增强的5000VRMS输入到输出隔离，旨在节省空间的4引脚封装中满足严格的安全和合规要求。快速切换性能（4ms导通和1ms关断）可在现代电子系统中实现精确控制，而3mA的低最大LED驱动电流确保在不增加接口电路的情况下与TTL和CMOS逻辑兼容。
Littelfuse(力特)
继电器, 自动测试设备, 工业自动化, 工业智能, 医疗, AI医疗, 智慧医疗
新品介绍
2026.06.23
索尼CTO：CMOS图像传感器三大未来方向
在智能手机市场日趋成熟、竞争格局不断变化的背景下，全球领先的图像传感器制造商索尼半导体解决方案公司正处于一个重要的转折点。索尼半导体解决方案公司（SSS）是全球市场份额领先的图像传感器制造商，目前正处于一个重要的转折点。市场结构和竞争环境正在发生剧烈变化，包括智能手机市场的成熟（智能手机市场曾是其增长的主要驱动力），以及未来不确定性的增加。
图像传感器, 手机, 智能制造
行业动态
2026.06.29
采用顶部散热Q-DPAK封装CoolSiC™ G2 1200V MOSFET 产品扩展
第二代CoolSiC™ 1200V MOSFET，采用顶部散热Q-DPAK封装，提供4mΩ和5mΩ两种导通电阻规格，广泛适用于的工业应用，包括电动汽车充电、光伏逆变器、不间断电源、固态断路器、工业驱动、人工智能以及商用电动车等。 Q-DPAK封装凭借其卓越的热性能简化了组装流程，降低系统成本。与底部散热方案相比，顶部散热器件支持更优化的PCB布局，有助于降低寄生参数和杂散电感的影响，同时提供更优的热管理能力。
Infineon(英飞凌)
电动车, 人工智能AI, 汽车电子, 充电桩, 工业自动化, 工业智能, 工业物联网(IIOT)
新品介绍
2026.06.23
英飞凌第二代SiC MOSFET性能解析及设计要点
在新能源革命与工业数字化的浪潮中，功率半导体作为核心“能量管家”，直接决定着电力转换系统的效率、密度与可靠性。英飞凌作为全球功率器件的领军者，凭借其深耕碳化硅（SiC）领域的技术积淀，推出了CoolSiC™ MOSFET G2系列产品，以全方位的性能突破，重新定义了SiC MOSFET的行业标准，为光伏、储能、电动汽车充电等关键领域注入强劲动力。
Infineon(英飞凌)
电力/新能源, 新能源, 工业自动化, 工业智能, 汽车电子, 光伏逆变器, 光伏/光热, 储能, 储能BMS
技术分享
2026.06.23
英飞凌XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ 碳化硅MOSFET
为顺应可再生能源领域中1500V直流母线应用日益增长的趋势，英飞凌推出XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ MOSFET产品扩充。该系列产品电流规格丰富，最高可达2000A，并提供4kV或6kV的隔离电压等级，非常适用于高功率应用。结合可靠耐用的.XT扩散焊技术，该产品在使用寿命和可靠性方面均达到同类最佳水平，为高可靠性应用提供了坚实的保障。
Infineon(英飞凌)
氢能, 电力/新能源, 新能源, 风电, 光伏/光热, 光伏逆变器, 电池, 储能电池包
新品介绍
2026.06.23
SiC MOSFET 短路行为解析与英飞凌保护方案探讨
通过实验测试来研究如何运用驱动芯片的退饱和功能（DESAT）来做桥臂直通保护。具体来说，我们将探讨哪些因素会影响保护响应时间，以及如何优化短路关断过程中的过压问题。值得注意的是，我们的所有测试，都是基于Ⅰ类短路工况，关断动作都是由驱动芯片1ED3330MC12M本身触发的，而不是受驱动信号脉宽的限制。
Infineon(英飞凌)
电机驱动, LED 驱动
技术分享
2026.06.23
如何评估SiC MOSFET栅氧化层的使用寿命
马拉松应力测试的核心逻辑，就是在尽可能贴近器件实际工作的条件下，对大量器件进行长时间的并行应力测试，以此捕捉那些即便经过栅压筛选，仍可能在实际应用中极低概率发生的早期栅氧非本征失效。
Infineon(英飞凌)
马拉松
技术分享
2026.06.22
英飞凌深度解析：CoolSiC™ MOSFET 短路能力与失效模式
在碳化硅SiC MOSFET快速普及的今天，短路稳定性一直是行业关注与争议的焦点。很多工程师误以为：SiC MOSFET 天生扛不住短路，是硬缺陷。事实真的如此吗？ 英飞凌基于大量实测与器件机理研究，为大家还原 CoolSiC™ MOSFET 短路特性的真相，帮你在选型与应用中少走弯路。
Infineon(英飞凌)
技术分享
2026.06.22
仅有几十nm厚的栅氧化层，竟是制约SiC MOSFET可靠性的关键因素
在功率半导体器件 MOSFET 中，栅氧化层是位于栅极与半导体芯片之间的关键绝缘层，核心材质多为二氧化硅（SiO₂），堪称器件的 “电力控制阀门”。它一方面承担着电绝缘的重任，隔离栅极与沟道的电信号，防止电流泄漏；另一方面让外部栅电压精准调控沟道的导电性，实现 MOSFET 的开关与电流控制功能，其质量直接决定了器件的性能稳定性和使用寿命。在碳化硅（SiC）MOSFET 这款新一代功率半导体器件中，平面栅器件栅氧化层厚度最低仅有40nm，沟槽栅器件栅氧化层厚度约70nm，这薄薄的一层氧化层材料在
Infineon(英飞凌)
电力/新能源, 新能源, 光伏逆变器, 光伏/光热, 储能, 储能BMS
技术分享
2026.06.22
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