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PECVD设备腔体的温度均衡控制方案
■ 关乎镀膜效率的核心数据：升温和回温速度较慢，从0度升到目标500度需要40分钟以上；加入气体以及硅片回温到目标温度需要15分钟。■ 温控精度影响镀膜的均匀度以及电池效率，目前设备只能达到±5℃。
OMRON(欧姆龙)
PV, NX-TC, PECVD
应用方案
2025.11.17
激光刻槽机的非金属硅材料检测抗干扰方案
设备能够自动将硅片（电池片）表面刻出独立的窄槽，为后道埋电极栅做准备。吸盘抓取硅片是将硅片放置在承载盒，等待前一硅片刻槽完毕。
OMRON(欧姆龙)
PV, E2K-X, 超声波接近传感器, 接近开关, 激光刻槽机
应用方案
2025.07.11
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